デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM5B801QA-N ■概要 ■特長 ELM5B801QA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 ・ Vds=-20V 低オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパ ・ Id=-4.5A, Rds(on)=96mΩ (Vgs=-4.5V) ワー MOSFET です。 ・ Id=-3.8A, Rds(on)=128mΩ (Vgs=-2.5V) ・ Id=-2.5A, Rds(on)=180mΩ (Vgs=-1.8V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vds Vgs Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 -20 ±12 -4.5 Id Tc=25℃ Tc=70℃ 接続温度範囲及び保存温度範囲 A -3.8 -12 Idm 最大許容損失 V V A 6.5 4.2 -55 ～ 150 Pd Tj, Tstg W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 ■端子配列図 � � � Typ. Max. 120 単位 ℃/W ■回路 DFN6-2x2(TOP VIEW) � 記号 Rθja � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE1 2 3 4 GATE1 DRAIN2 SOURCE2 5 GATE2 6 DRAIN1 5-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM5B801QA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-16V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Ta=85℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Vgs=-4.5V, Vds=-5V Id(on) Vgs=-2.5V, Vds=-5V 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3.8A Vgs=-1.8V, Id=-2.5A Gfs Vsd -0.3 -8 -3 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-3.5A td(on) Vgs=-4.5V, Vds=-10V tr Id=-3.5A, RL=2.85Ω td(off) Rgen=1Ω tf 5-2 μA ±100 nA -0.8 V A 86 96 114 150 128 180 6.5 -0.75 -1.30 -1.6 Ciss Coss Crss ターン ・ オフ立ち下がり時間 Vds=-5V, Id=-2.8A Is=-1.25A, Vgs=0V -30 Is 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 V -1 Vgs=-4.5V, Id=-4.5A ドレイン - ソースオン状態抵抗 -20 mΩ S V A 375 pF 80 60 pF pF 5.00 10.00 nC 0.85 nC 1.50 nC 15 36 25 25 60 50 ns ns ns 15 25 ns AFP2911W Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement デュアルパワー P チャンネル MOSFET Mode MOSFET ELM5B801QA-N Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.B Nov. 2011 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFP2911W Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement デュアルパワー P チャンネル MOSFET Mode MOSFET ELM5B801QA-N Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.B Nov. 2011 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFP2911W Alfa-MOS 20V P-Channel Technology デュアルパワー P チャンネル MOSFETMode MOSFET Enhancement ELM5B801QA-N ■測定回路と波形 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.B Nov. 2011 www.alfa-mos.com Page 5 5-5