デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM57800GA-S ■概要 ■特長 ELM57800GA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Vds=20V ・ Id=1.8A ・ Rds(on) < 280mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 340mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 580mΩ (Vgs=1.8V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 � A Idm 6 A 0.3 0.2 -55 ～ 150 W ℃ ■回路 SC-70-6(TOP VIEW) � 1.8 1.2 Tj, Tstg ■端子配列図 � Id Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 � 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 20 V ±12 V � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE1 GATE1 DRAIN2 4 5 SOURCE2 GATE2 6 DRAIN1 5-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM57800GA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 20 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=20V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V Ta=85℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.4 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 1.8 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 V 1 5 μA ±100 nA 1.0 V A Vgs=4.5V, Id=1.8A Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.5A 240 300 280 340 Vgs=1.8V, Id=1.2A Vds=10V, Id=1.0A Is=1.0A, Vgs=0V 500 1 0.65 580 Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Is Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 Crss Qg Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V Id=1.2A ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgs Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr td(off) Rgen=1Ω tf Vgs=4.5V, Vds=10V RL=20Ω, Id=1.2A 5-2 mΩ 1.20 S V 1 A 70 pF 20 pF 8 pF 1.06 1.38 nC 0.18 0.32 18 26 nC nC ns 20 70 25 28 110 40 ns ns ns AFN1912 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement デュアルパワー N チャンネル MOSFET Mode MOSFET ELM57800GA-S ■標準特性と熱特性曲線 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN1912 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM57800GA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN1912 Alfa-MOS 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM57800GA-S Typical Characteristics ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 5 5-5