シングル N チャンネル MOSFET ELM14408AA-N ■概要 ■特長 ELM14408AA-N は低ゲート入力電荷、 低いゲー ・ Vds=30V ト電圧、 低いオン抵抗及び早いスイッチングという特 ・ Id=12A (Vgs=10V) 性を備えた MOSFET です。 ・ Rds(on) < 13mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 16mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 繰り返しアバランシェ エネルギー 最大許容損失 L=0.1mH Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 30 ±12 12 Id V V 10 A 1 Idm Iav 80 30 A A 2 2, 5 Eav 100 3.0 2.1 mJ 2, 5 - 55 ～ 150 ℃ Pd Tj, Tstg W ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. Max. 単位 23 48 12 40 65 16 ℃/W ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 4-1 D G S シングル N チャンネル MOSFET ELM14408AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 0.003 1.000 μA 5.000 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 40 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Rds(on) Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 Crss Rg 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Vgs=10V, Id=12A Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=10A Vds=5V, Id=10A Is=1A, Vgs=0V V 30 1.5 nA 2.5 V A 10.5 16.0 14.0 21.0 mΩ 13.0 48 0.76 16.5 Is 1.00 S V 4.5 A 1020 1200 pF Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 320 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 80 0.25 pF Ω Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=12A td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=1.2Ω, Rgen=3Ω tf trr Qrr 100 If=12A, dlf/dt=100A/μs If=12A, dlf/dt=100A/μs 0.50 10.3 2.1 3.9 12.5 nC nC nC 3.9 3.0 19.2 5.5 6.0 30.0 ns ns ns 2.6 26 18 5.0 32 32 ns ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル N チャンネル MOSFET ELM14408AA-N ■標準特性と熱特性曲線 50 10V 40 3.5V Vds=5V 25 3V 20 30 Id(A) Id (A) 30 4.5V 20 15 125°C 10 10 5 Vgs=2.5V 0 0 1 2 3 4 5 0.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1.5 2 2.5 3 Normalized On-Resistance 1.8 14 Rds(on) (m�) 1 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 16 Vgs=4.5V 12 10 Vgs=10V 8 0 5 10 15 Vgs=10V Id=10A 1.6 Vgs=4.5V 1.4 1.2 1 0.8 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 40 Id=10A Vgs=0V 1.0E+00 30 125°C 100 1.0E-01 Is (A) Rds(on) (m�) 25°C 0 125°C 20 1.0E-02 25°C 10 25°C 1.0E-03 1.0E-04 1.0E-05 0 0 2 4 6 8 0.0 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 1.0 シングル N チャンネル MOSFET ELM14408AA-N 5 1250 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 1500 Vds=15V Id=12A 3 2 1 Ciss 1000 750 Coss 500 250 0 0 2 4 6 8 10 0 12 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.0 10.0 100�s Power (W) 1s 1.0 10s Tj(max)=150°C Ta=25°C 0 0.001 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0.01 0.1 10 100 1000 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 100 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 1 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) 100 Vds (Volts) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance Tj(max)=150°C Ta=25°C 10 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 30 20 DC 1 15 20 25 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 30 0.1 0.1 10 40 10ms 0.1s 0.0001 0.001 0.01 1 0.1 T 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4 70 Ta=25°C 60 Power Dissipation (W) Id(A), Peak Avalanche Current Id (Amps) 1ms 5 50 10�s Rds(on) limited Crss 50 40 30 ta � 20 L� Id BV � Vdd 10 0 0.00001 0.0001 0.001 Time in avalanche, tA (s) Figure 12: Avalanche capability 4-4 3 2 10s 1 SteadyState 0 25 50 75 100 125 Tcase (°C) Figure 13: Power De-rating (Note A) 150