elm14466aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14466AA-N
■概要
■特長
ELM14466AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=9.4A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 23mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±20
V
9.4
Id
7.7
50
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
3.1
2.1
- 55 ～ 150
A
1
A
2
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
34
Max.
40
単位
℃/W
62
75
℃/W
18
24
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
D
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14466AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
30
0.004 1.000
μA
5.000
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
20
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
Vgs=10V, Id=9.4A
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=9.4A
Is=1A, Vgs=0V
10
1.6
nA
3.0
V
17
24
23
30
27
24
0.75
35
621
mΩ
1.00
S
V
4.3
A
820
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
118
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
85
0.8
pF
Ω
Vgs=10V, Vds=15V, Id=9.4A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=1.6Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=9.4A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
100
A
Is
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
If=9.4A, dlf/dt=100A/μs
11.3
5.7
2.1
1.5
17.0
8.0
nC
nC
nC
3.0
4.5
3.1
6.5
5.0
nC
ns
ns
15.1
2.7
15.5
23.0
5.0
21.0
ns
ns
ns
7.1
10.0
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
AO4466
ELM14466AA-N
■標準特性と熱特性曲線
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
60
20
10V
50
6V
40
4.5V
Id(A)
Id (A)
Vds=5V
16
30
12
8
20
125°C
Vgs=3.5V
4
10
0
25°C
0
0
1
2
3
4
5
1.5
2
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
3.5
4
4.5
Normalized On-Resistance
1.6
35
Rds(on) (m�)
3
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
40
Vgs=4.5V
30
25
20
Vgs=10V
15
10
Vgs=10V
1.4
Vgs=4.5V
1.2
1
0.8
0.6
0
5
10
15
20
-50
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
60
1.0E+01
Id=9.4A
1.0E+00
50
1.0E-01
40
Is (A)
Rds(on) (m�)
2.5
125°C
1.0E-02
125°C
25°C AS CRITICAL
THIS PRODUCT
HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES
30
1.0E-03
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
20
1.0E-04
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT
25°CNOTICE.
1.0E-05
10
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
4-3
1.0
シングル N チャンネル MOSFET
AO4466
ELM14466AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1000
10
800
Vds=15V
Id=9.4A
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
8
6
4
Ciss
600
400
2
200
0
0
0
2
4
6
8
10
12
Coss
Crss
0
5
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10.0
Rds(on)
limited
100�s
1ms
0.1s
1.0
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
1
10
1
100
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
20
0
0.0001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
30
10
10s
0.1
0.1
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
10�s
10ms
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
50
Power (W)
Id (Amps)
100.0
10
0.01
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS
DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN
0.1 IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOSPd
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
Ton
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
4-4
100
1000