elm14468aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14468AA-N
■概要
■特長
ELM14468AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=11.6A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 22mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±20
V
11.6
Id
9.2
50
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj,Tstg
3.1
2.0
- 55 ～ 150
A
1
A
2
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
31
Max.
40
単位
℃/W
59
75
℃/W
16
24
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14468AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
0.003 1.000
μA
5.000
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=10mA
1.5
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
50
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Vgs=10V
Rds(on) Id=11.6A
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=10A
Vds=5V, Id=11.6A
Is=1A, Vgs=0V
2.0
nA
3.0
V
11.0
17.0
14.0
mΩ
21.0
17.4
19
0.73
22.0 mΩ
S
1.00
V
955
4.5
A
1200
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
145
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
112
0.50
pF
Ω
Vgs=10V, Vds=15V
Id=11.6A
17.0
9.0
3.4
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=1.3Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=11.6A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
±100
A
Is
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
If=11.6A, dlf/dt=100A/μs
0.85
24.0
12.0
nC
nC
nC
4.7
5.0
6.0
6.5
7.5
nC
ns
ns
19.0
4.5
19
25.0
6.0
21
ns
ns
ns
9
12
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
AO4468
ELM14468AA-N
■標準特性と熱特性曲線
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
70
35
10V
6V
60
4.5V
50
25
40
Id(A)
Id (A)
Vds=5V
30
VDS=VGS ID=1mA
30
25°C
5
10
0
0
0
1
2
3
1.5
4
2
25
800
140
80
0.5
Normalized On-Resistance
1.8
20
2.5
3
3.5
1.6
Vgs=4.5V
15
7
1.4
15
10
Vgs=10V
5
5
10
15
4.5
220
140
Vgs=10V
Id=11.6A
Vgs=4.5V
Id=10A
1.2
0
4
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Rds(on) (m�)
125°C1.8
1.4
50
15
10
Vgs=3.5V
20
20
1
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
50
1.0E+01
Id=11.6A
1.0E+00
1.0E-01
Is (A)
Rds(on) (m�)
40
30
125°C
1.0E-02
125°C
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR25°C
USES AS CRITICAL
1.0E-03
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED.
AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISI
OUT OF20
SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
25°C
1.0E-04
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
1.0E-05
10
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
AO4468
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14468AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
1250
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1500
Vds=15V
Id=11.6A
6
VDS=VGS ID=1mA
4
2
Ciss
1000
750
1.4
50
500
1.8
Coss
250
0
0
4
8
12
16
20
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
1ms
100�s
0.1s
1.0
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
1
0.1
10
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
15
7
30
20
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
220
140
0
0.0001 0.001
100
Vds (Volts)
10
30
10
10s
0.1
10
800
140
80
0.5
40
Power (W)
Id (Amps)
10�s
Rds(on)
limited
10ms
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
5
50
100.0
10.0
Crss
0
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
Pd
COMPONENTS
NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISI
0.1 IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
Ton
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
Single Pulse
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
100
1000