デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM14801AB-N ■概要 ■特長 ELM14801AB-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=-5A (Vgs=-10V) MOSFET です。 ・ Rds(on) < 48mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 57mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ 電流 アバランシェ エネルギー L=0.1mH Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接続温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V ±12 V Id -5 -4 A Idm -28 A 3 Ias, Iar Eas, Ear 17 14 A mJ 3 3 W 2 Pd Tj, Tstg 2.0 1.3 -55 to 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 t≦10s 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. Max. 単位 備考 48.0 62.5 ℃/W 1 74.0 32.0 90.0 40.0 ℃/W ℃/W 1, 4 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE2 2 3 4 GATE2 SOURCE1 GATE1 5 6 DRAIN1 DRAIN1 7 8 DRAIN2 DRAIN2 5-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM14801AB-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-30V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V -30 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -0.5 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V -28 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs Vgs=-10V Id=-5A Vgs=-4.5V, Vds=-15V Id=-5A Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=3Ω, Rgen=6Ω tf trr If=-5A, dIf/dt=100A/μs Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs ±100 nA -1.3 V A 45 60 18 57 80 -0.7 -1.0 -2.5 V A 515 645 780 pF 55 30 4.0 80 55 7.8 105 80 12.0 pF pF Ω 5.0 7.0 1.5 9.0 nC nC Is=-1A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz μA 48 72 Vgs=-4.5V, Id=-3.5A Vgs=-2.5V, Id=-2.5A Vds=-5V, Id=-5A Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz -0.9 -1 -5 40 60 Ta=125℃ ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 V mΩ S 2.5 6.5 3.5 nC ns ns 41.0 9.0 11 15 ns ns ns 3.5 5.0 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存します。 2. 電力損失 Pd は、 Tj(最大)=150℃、 10 秒接合部 - 周囲間熱抵抗を使用するのに基づいています。 3. 反復定格及びパルス幅は、 接合部温度 Tj(最大)=150℃で制限します。 定格値は低周波数とデューティサイク ルに基づいて初期 Tj=25℃を維持します。 4. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 5. 標準特性図 1 ～ 6 は <300μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 6. これらの曲線は、 Tj(最大)=150℃、 2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されて います。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 5-2 AO4801A デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM14801AB-N ■標準特性と熱特性曲線 30 20 -10V 25 VDS=-5V -4.5V 15 -ID(A) -ID (A) 15 -3V 20 -2.5V 10 125°C 10 25°C 5 5 VGS=-2V 0 0 0 1 2 3 4 0 5 1 1.5 90 Normalized On-Resistance 1.8 VGS=-2.5V 70 VGS=-4.5V 50 30 2 2.5 3 -VGS(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5) -VDS (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics (Note 5) RDS(ON) (mΩ ) 0.5 VGS=-10V VGS=-4.5V ID=-3.5A 1.6 VGS=-10V ID=-5A 1.4 VGS=-2.5V ID=-2.5A 1.2 1 0.8 10 0 2 4 6 8 0 10 -ID (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage (Note 5) 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature (Note 5) 100 1.0E+01 ID=-5A 1.0E+00 125°C 125°C 1.0E-01 -IS (A) RDS(ON) (mΩ ) 80 60 1.0E-02 25°C 1.0E-03 40 25°C 1.0E-04 1.0E-05 20 0 2 4 6 8 10 -VGS (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage (Note 5) 5-3 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -VSD (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5) 1.2 デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM14801AB-N 1200 5 VDS=-15V ID=-5A 1000 Ciss Capacitance (pF) -VGS (Volts) 4 3 2 800 600 400 1 0 Crss 0 0 3 6 9 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 12 0 100.0 10µs RDS(ON) limited 10 15 20 25 -VDS (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 1ms 10ms TJ(Max)=150°C TA=25°C 0.1 1 10 1 0.00001 100 -VDS (Volts) 0.001 0.1 10 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 6) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 6) 10 100 10 1s 10s DC 0.0 0.1 30 TJ(Max)=150°C TA=25°C 1000 100µs 1.0 Zθ JA Normalized Transient Thermal Resistance 5 10000 Power (W) 10.0 -ID (Amps) Coss 200 D=Ton/T TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA RθJA=90°C/W In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 0.1 PD Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note 6) 5-4 100 1000 デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM14801AB-N ■測定回路と波形 Gate Charge Test Circuit & Waveform Vgs Qg -10V - + VDC - Qgd Qgs Vds + VDC DUT Vgs Ig Charge Resistive Switching Test Circuit & Waveforms RL Vds Vgs DUT Vgs VDC - td(on) t d(off) tr tf 90% Vdd + Rg toff ton Vgs 10% Vds Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms 2 L E AR= 1/2 LIAR Vds Vds Id VDC - Vgs Vgs + Rg Vdd BVDSS Id I AR DUT Vgs Vgs Diode Recovery Test Circuit & Waveforms Q rr = - Idt Vds + DUT Vds - Isd Vgs Ig Vgs L -Isd + Vdd VDC - -I F t rr dI/dt -I RM -Vds 5-5 Vdd