シングル N チャンネル MOSFET ELM13418CA-S ■概要 ■特長 ELM13418CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=3.8A (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 60mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 155mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 30 V Vgs ±12 V Id 3.8 3.1 A 1 A 2 W 1 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 15 1.4 0.9 Pd Tj, Tstg - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t ≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 70 Max. 90 単位 ℃/W 100 63 125 80 ℃/W ℃/W 1 3 ■回路 D SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 1 2 端子記号 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM13418CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 0.001 1.000 μA 5.000 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 15 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 1.4 100 nA 1.8 V A 43 64 60 85 Vgs=4.5V, Id=3.5A Vgs=2.5V, Id=1A Vds=5V, Id=3.8A 52 101 11.7 70 155 Is=1A, Vgs=0V 0.81 1.00 2.5 V A 226 270 pF 1.7 pF pF Ω Vgs=10V, Id=3.8A ドレイン - ソースオン状態抵抗 V Ta=125℃ Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=15V Id=3.8A 39 29 1.4 3.00 1.40 mΩ S 3.60 nC nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 0.55 2.6 3.2 4.0 5.0 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=3.9Ω, Rgen=6Ω tf trr If=3.8A, dlf/dt=100A/μs 14.5 2.1 10.2 22.0 3.0 13.0 ns ns ns 3.8 5.0 nC 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=3.8A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル N チャンネル MOSFET ELM13418CA-S ■標準特性と熱特性曲線 10 15 10V 3.5V 4V 6V 6 9 6 4 Vgs=2.5V 125°C 3 2 0 25°C 0 0 1 2 3 4 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 5 0 200 1 1.5 2 2.5 3 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Normalized On-Resistance Vgs=2.5V 125 Vgs=4.5V Id=3.5A 1.7 Vgs=10V 1.4 100 75 50 Vgs=10V 25 3.6 Id=3.8A 1.2 Vgs=4.5V 0 Vgs=2.5V Id=1A 1 0.8 0 2 4 6 8 10 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 100 25 50 75 100 125 13 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 Id=3.8A 90 3.5 270 1.6 150 1.0E+00 80 125°C 1.0E-01 70 Is (A) Rds(on) (m� ) 0.5 1.8 175 Rds(on) (m� ) Vds=5V 8 3V Id(A) Id (A) 12 125°C 1.0E-02 60 25°C 50 1.0E-03 40 1.0E-04 30 0 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 25°C 1.0E-05 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 1.2 シングル N チャンネル MOSFET ELM13418CA-S 5 350 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 400 Vds=15V Id=3.8A 3 2 1 300 Ciss 250 200 150 Coss Crss 100 50 0 0 1 3 4 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 0 1ms 100�s 1.7 3.6 10 1s 5 10s DC 0.1 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 15 1.0 10 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 15 20 25 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 270 0.1s 10ms 0.1 10 20 10�s Rds(on) limited 5 Power (W) 10.0 0 5 Tj(max)=150°C Ta=25°C 100.0 Id (Amps) 2 1 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 100 0 0.001 13 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 1 10 0.1 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 0.001 0.01 4-4 100 1000