单 N 沟道 MOSFET ELM13418CA-S ■概要 ■特点 ELM13418CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=3.8A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 60mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 70mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) <155mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 30 V ±12 3.8 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 3.1 Idm Tc=25℃ 容许功耗 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg V 15 1.4 0.9 - 55 ~ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 70 100 63 90 125 80 ℃/W ℃/W ℃/W ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 备注 1 3 单 N 沟道 MOSFET ELM13418CA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 30 0.001 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 15 Rds(on) 1.000 5.000 100 栅极阈值电压 漏极 - 源极导通电阻 V 1.4 1.8 μA nA V A 43 60 64 85 Vgs=4.5V, Id=3.5A Vgs=2.5V, Id=1A Vds=5V, Id=3.8A 52 101 11.7 70 155 Is=1A, Vgs=0V 0.81 1.00 2.5 V A 270 pF pF Vgs=10V Id=3.8A Ta=125℃ 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 226 39 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 29 1.4 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3.8A 3.00 1.40 mΩ S 1.7 3.60 pF Ω nC nC 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 0.55 2.6 3.2 4.0 5.0 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=3.9Ω, Rgen=6Ω tf 14.5 2.1 22.0 3.0 ns ns 10.2 3.8 13.0 5.0 ns nC 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=3.8A, dlf/dt=100A/μs If=3.8A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM13418CA-S ■标准特性和热特性曲线 10 15 10V 3.5V 4V 6V 6 9 6 4 Vgs=2.5V 125°C 3 2 0 25°C 0 0 1 2 3 4 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 5 0 200 1 1.5 2 2.5 3 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Normalized On-Resistance Vgs=2.5V 125 Vgs=4.5V Id=3.5A 1.7 Vgs=10V 1.4 100 75 50 Vgs=10V 25 3.6 Id=3.8A 1.2 Vgs=4.5V 0 Vgs=2.5V Id=1A 1 0.8 0 2 4 6 8 10 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 100 25 50 75 100 125 13 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 Id=3.8A 90 3.5 270 1.6 150 1.0E+00 80 125°C 1.0E-01 70 Is (A) Rds(on) (m� ) 0.5 1.8 175 Rds(on) (m� ) Vds=5V 8 3V Id(A) Id (A) 12 125°C 1.0E-02 60 25°C 50 1.0E-03 40 1.0E-04 30 0 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 25°C 1.0E-05 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 N 沟道 MOSFET ELM13418CA-S 5 350 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 400 Vds=15V Id=3.8A 3 2 1 300 Ciss 250 200 150 Coss Crss 100 50 0 0 1 3 4 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 0 1ms 100�s 1.7 3.6 10 1s 5 10s DC 0.1 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 15 1.0 10 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 15 20 25 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 270 0.1s 10ms 0.1 10 20 10�s Rds(on) limited 5 Power (W) 10.0 0 5 Tj(max)=150°C Ta=25°C 100.0 Id (Amps) 2 1 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 100 0 0.001 13 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 1 10 0.1 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 0.001 0.01 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000