シングル N チャンネル MOSFET ELM32D606A-S ■概要 ■特長 ELM32D606A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=24A ・ Rds(on) < 18mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 27mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 30 V 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vgs Ta=25℃ Ta=100℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー Id Idm Ias Eas L=0.1mH Tc=25℃ Tc=100℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 ±20 24 15 V 60 12.7 8.1 A A mJ A 19.5 7.8 - 55 to 150 Pd Tj, Tstg 3 W ℃ ■熱特性 項目 記号 Typ. Max. 単位 最大接合部 - ケース Rθjc 6.4 ℃/W 最大接合部 - 周囲温度 Rθja 62.5 ℃/W ■端子配列図 備考 ■回路 D TO-252-3(TOP VIEW) ��� 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE DRAIN SOURCE � � � 4-1 G S シングル N チャンネル MOSFET ELM32D606A-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 Vsd V Vds=24V, Vgs=0V 1 Vds=20V, Vgs=0V Ta=125℃ 10 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Vgs=10V, Id=7A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=5V, Id=7A ダイオード順方向電圧 30 ±100 nA 1.30 1.75 2.30 V 13.5 18.0 mΩ 20.0 27.0 33 S If=7A, Vgs=0V Is Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 Rg Qg ゲート - ソース電荷 Qgs Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V Id=7A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) Id=7A, Rgen=6Ω tf 寄生ダイオード逆回復時間 trr 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=7A, dIf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4-2 μA 1.1 V 17 A 1 1 1 328 64 42 pF pF pF 3 Ω 7.6 nC 2 1.1 nC 2 2.5 19 nC ns 2 2 18 39 20 ns ns ns 2 2 2 8.4 ns 2.2 nC シングル N チャンネル MOSFET PD606BA ELM32D606A-S N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ■標準特性と熱特性曲線 NIKO-SEM TO-252 Halogen-Free & Lead-Free Output Characteristics 20 Transfer Characteristics 20 ID, Drain-To-Source Current(A) ID, Drain-To-Source Current(A) VGS=3.5V 16 VGS=10V VGS=9V VGS=8V VGS=7V VGS=6V VGS=5V VGS=4.5V 12 8 VGS=3V 4 0 0 2 4 6 8 On-Resistance VS Gate-To-Source 0.08 0.06 0.04 0.02 ID=7A 2 6 8 VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 25℃ -20℃ 125℃ 4 0 1 2 3 4 5 6 VGS, Gate-To-Source Voltage(V) On-Resistance VS Drain Current 0.04 0.03 VGS=4.5V 0.02 VGS=10V 0.01 0 10 On-Resistance VS Temperature 2.0 0 3 6 9 12 15 ID , Drain-To-Source Current(A) Capacitance Characteristic 100 1.8 1.6 C , Capacitance(pF) Normalized Drain to Source ON-Resistance 4 8 0.05 RDS(ON)ON-Resistance(OHM) RDS(ON)ON-Resistance(OHM) 0.1 0 12 0 10 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 16 1.4 1.2 1.0 0.8 150℃ 1 25℃ VGS=10V ID=7A 0.6 0.4 10 -50 -25 0 25 50 75 100 125 0.1 150 TJ , Junction Temperature(˚C) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 1.4 E-23-4 REV 1.1 3 4-3 シングル N チャンネル MOSFET NIKO-SEM TO-252 Halogen-Free & Lead-Free Gate charge Characteristics 400 350 VDS=15V ID=7A 8 IS , Source Current(A) VGS , Gate-To-Source Voltage(V) Source-Drain Diode Forward Voltage Characteristics 10 PD606BA N-Channel Enhancement Mode ELM32D606A-S Field Effect Transistor 6 4 2 CISS 300 250 200 150 100 COSS 50 0 0 2 4 6 8 0 10 Qg , Total Gate Charge(nC) Safe Operating Area CRSS 0 5 10 15 20 50 Operation in This Area is Limited by RDS(ON) ↓ 10 1ms 10ms 1 DC 1 10 Transient Thermal Resistance 20 10 0 0.001 100 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 0.01 0.1 1 Single Pulse Time(s) 10 100 Transient Thermal Response Curve 10 r(t) , Normalized Effective 30 100ms NOTE : 1.VGS= 10V 2.TC=25˚C 3.RθJC = 6.4˚C/W 4.Single Pulse 0.1 Single Pulse RθJC = 6.4 ˚C/W TC=25˚C 40 Power(W) ID , Drain Current(A) 30 Single Pulse Maximum Power Dissipation 100 0.1 25 VSD, Source-To-Drain Voltage(V) Duty cycle=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 1 Notes single pulse 0.1 1.Duty cycle, D= t1 / t2 2.RthJC = 6.4℃/W 3.TJ-TC = P*RthJC(t) 4.RthJC(t) = r(t)*RthJC 0.01 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] E-23-4 REV 1.1 4 4-4