コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35604KA-S ■概要 ■特長 ELM35604KA-S は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=8.5A Id=-7A ・ Rds(on) < 21mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 35mΩ(Vgs=-10V) Vds=-30V ・ Rds(on) < 32mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 60mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 連続ドレイン電流 記号 Vds Vgs Ta=25℃ N-ch (Max.) 30 ±20 8.5 -7.0 7.0 50 -5.8 -50 3.0 2.1 -55 ～ 150 3.0 2.1 -55 ～ 150 Id Ta=70℃ Idm パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 最大許容損失 Pd Tj,Tstg 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -30 V ±20 V A A 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja Device N-ch 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 Rθjc Rθja 最大接合部 - ケース Rθjc Max. 42 単位 ℃/W N-ch P-ch 6 42 ℃/W ℃/W P-ch 6 ℃/W ■端子配列図 Typ. 備考 ■回路 TO-252-4(TOP VIEW) ・ N－ch 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE1 GATE1 3 4 TAB SOURCE2 GATE2 DRAIN1/DRAIN2 7- 1 ・ P－ch D2 D1 G2 G1 S1 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35604KA-S ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 Vds=24V, Vgs=0V 1 10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=20V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.8 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=8A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6A Gfs Vds=10V, Id=8A Vsd If=3A, Vgs=0V 50 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 Qg Qgs ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V 1.5 2.5 17.5 21.0 24.0 32.0 13 1.2 V A 1 mΩ 1 S V 1 1 1200 180 pF pF 160 pF 16 6 nC nC 2 2 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 8 20 10 nC ns ns 2 2 2 td(off) Id=1A, Rgen=3.3Ω tf trr If=8A, dlf/dt=100A/μs 30 65 42 ns ns ns 2 2 30 nC Vgs=0V, Vds=10V f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V, Id=8A Qrr 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 7- 2 NIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET Field Effect Transistor_Preliminary ELM35604KA-S P2103ND5G TO-252-5 Lead-Free ■標準特性曲線 (N-ch) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V T A = 125°C Is - Reverse Drain Current(A) 10 25°C 1 -55°C 0.1 0.01 0.001 7- 3 4 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 1.4 Mar-01-2005 NIKO-SEM コンプリメンタリーパワー MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode ELM35604KA-S Field Effect Transistor_Preliminary 7- 4 5 P2103ND5G TO-252-5 Lead-Free Mar-01-2005 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35604KA-S ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V -30 Vds=-24V, Vgs=0V -1 -10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-20V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -0.8 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-7A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-5A Gfs Vds=-10V, Id=-7A Vsd If=-3A, Vgs=0V -50 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 Qg Qgs ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V -1.5 -2.5 28 35 46 10 60 -1.2 V A 1 mΩ 1 S V 1 1 970 270 pF pF 180 pF 13 4 nC nC 2 2 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 6 22 12 nC ns ns 2 2 2 td(off) Id=-1A, Rgen=3.3Ω tf trr If=-7A, dlf/dt=100A/μs 32 75 55 ns ns ns 2 2 52 nC Vgs=0V, Vds=-10V f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-7A Qrr 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 7- 5 NIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET Field Effect Transistor_Preliminary P2103ND5G TO-252-5 Lead-Free ELM35604KA-S ■標準特性曲線 (P-ch) -Is - Reverse Drain Current(A) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V 10 1 0.1 T A = 125°C 25°C -55°C 0.01 0.001 0 0.2 0.6 0.8 1.0 1.2 0.4 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.4 7- 6 6 Mar-01-2005 NIKO-SEM コンプリメンタリーパワー MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode ELM35604KA-S Field Effect Transistor_Preliminary 7- 7 7 P2103ND5G TO-252-5 Lead-Free Mar-01-2005