シングル P チャンネル MOSFET ELM33411CA-S ■概要 ■特長 ELM33411CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-3A ・ Rds(on) < 100mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 140mΩ (Vgs=-2.5V) ・ Rds(on) < 240mΩ (Vgs=-1.8V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 -20 ±12 -3.0 Id Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A -2.4 -10 Idm 最大許容損失 V V A 1.00 3 W 0.64 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 125 単位 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 SOURCE 3 DRAIN � � 5-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM33411CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA -20 V Vds=-16V, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-16V Vgs=0V -1 Ta=125℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Vgs=-4.5V, Id=-3A Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-2.5A Vgs=-1.8V, Id=-1A 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Gfs Vsd Vds=-5V, Id=-3A If=-1A, Vgs=0V -10 μA ±100 nA -0.7 -0.8 -1.2 V -10 A 84 116 100 140 mΩ 185 240 7 Is -1.2 S V -1.6 A 1 1 1 1 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 540 pF 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Crss Rg Vgs=15mV, Vds=0V, f=1MHz 75 50 4.5 pF pF Ω Qg Qgs 6.2 0.6 nC nC 2 2 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-3A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V 1.6 11 15 nC ns ns 2 2 2 ターン ・ オフ遅延時間 td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω 50 ns 2 24 ns 2 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 5-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM33411CA-S ■標準特性と熱特性曲線 5-3 シングル P チャンネル MOSFET ELM33411CA-S 5-4 シングル P チャンネル MOSFET ELM33411CA-S 5-5