シングル P チャンネル MOSFET ELM33415CA-S ■概要 ■特長 ELM33415CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-3.5A ・ Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 61mΩ (Vgs=-2.5V) ・ Rds(on) < 71mΩ (Vgs=-1.8V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 -20 ±8 -3.5 Id Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A -2.8 -21 1.0 Idm 最大許容損失 V V A 3 W 0.6 - 55A ~ 150 ℃ Typ. Max. 単位 120 ℃/W ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■回路 ■端子配列図 � SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 1 2 端子記号 GATE SOURCE 3 DRAIN � � 4-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM33415CA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss Gfs Vds=-5V, Id=-3.5A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=-3.5A, Vgs=0V 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz ゲート - ソース電荷 Qgs Qg Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-3.5A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) Id=-3.5A, Rgen=3.3Ω tf 寄生ダイオード逆回復時間 trr 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr -10 Vds=0V, Vgs=±8V 順方向相互コンダクタンス Crss -1 Vds=-10V, Vgs=0V, Ta=70℃ Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3.5A Vgs=-1.8V, Id=-2.0A 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 V Vds=-16V, Vgs=0V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Vgs=-4.5V, Id=-3.5A ドレイン - ソースオン状態抵抗 -20 If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2% 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1% 4-2 μA ±100 nA -0.45 -0.60 -0.90 -21 40 51 V A 1 48 60 mΩ 1 S 1 V A 1 61 71 17 -1.3 -3.5 1180 185 pF pF 117 pF 16.7 nC 2 1.8 nC 2 4.6 20 nC ns 2 2 36 45 62 ns ns ns 2 2 2 30 ns 14 nC ELM33415CA-S シングル P チャンネル MOSFET ■標準特性と熱特性曲線 � � � � � � 4-3 ELM33415CA-S � � �� �� � � � シングル P チャンネル MOSFET � � 4-4