シングル P チャンネル MOSFET ELM34407AA-N ■概要 ■特長 ELM34407AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-8A ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Id Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg ±25 -8 -7 V -30 2.5 A A 3 W 1.3 -55 ~ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 定常状態 記号 Rθjc 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 25 単位 ℃/W 50 ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE SOURCE SOURCE 4 5 6 GATE DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM34407AA-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss -30 V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V Ta=125℃ -10 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±25V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -0.8 -30 ±100 nA -1.5 -2.5 V A Rds(on) Vgs=-10V, Id=-8A Vgs=-4.5V, Id=-6A 26 44 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-10V, Id=-6A 7 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is Is=-1A, Vgs=0V ダイオード パルス電流 動的特性 入力容量 Ism ドレイン - ソースオン状態抵抗 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 Ciss Vgs=0V, Vds=-15V Coss f=1MHz Crss Qg Qgs Qgd Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-6A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-10V td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω μA 32 55 mΩ 1 S 1 -1 -3 V A 1 -6 A 3 920 pF 190 120 pF pF 18.5 nC 2 2.7 4.5 nC nC 2 2 7.7 5.7 20.0 ns ns ns 2 2 2 2 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 9.5 ns 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr 7.9 nC 備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2% 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1% 4-2 1 NIKO-SEM シングル P チャンネル MOSFET P-Channel Logic Level Enhancement ModeELM34407AA-N Field Effect Transistor ■標準特性と熱特性曲線 4-3 P3203EVG SOP-8 Lead-Free NIKO-SEM シングル PLogic チャンネル MOSFET P-Channel Level Enhancement ModeELM34407AA-N Field Effect Transistor 4-4 P3203EVG SOP-8 Lead-Free