シングル P チャンネル MOSFET ELM32407LA-S ■概要 ■特長 ELM32407LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-18A ・ Rds(on) < 25.8mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 40.0mΩ (Vgs=-7V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -40 ±20 V -18.0 A -13.5 -40 A 42 27 -55 ~ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 定常状態 記号 Rθjc Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 3 75 単位 ℃/W ℃/W 備考 ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� � � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 DRAIN SOURCE � 4-1 � � シングル P チャンネル MOSFET ELM32407LA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss -1 Vds=-30V, Vgs=0V Ta=125℃ -10 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=-10V, Id=-18A Vgs=-7V, Id=-10A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-5V, Id=-18A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is Is=If, Vgs=0V ダイオード パルス電流 動的特性 入力容量 Ism 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Coss Crss Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=-15V f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-18A td(on) Vgs=-10V, Vds=-20V tr Id=-1A, RL=1Ω td(off) Rgen=6Ω tf trr Qrr V Vds=-32V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 Ciss -40 If=-18A, dIf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2% 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4-2 -1.2 -40 μA ±250 nA -2.2 -3.0 V A 22.0 25.8 mΩ 30.0 40.0 20 1 1 S 1 -1.3 -18 V A 1 -40 A 3 1570 pF 320 210 pF pF 29 nC 2 6 7 nC nC 2 2 12 29 42 ns ns ns 2 2 2 33 ns 2 29 21 ns nC NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement P2504EDG Mode Field Effect Transistor シングル P チャンネル MOSFET TO-252 Lead-Free ELM32407LA-S ■標準特性と熱特性曲線 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 -Is - Reverse Drain Current(A) V GS= 0V 10 1 0.1 TA = 125°C 25°C -55°C 0.01 0.001 0 3 4-3 0.8 1.0 1.2 0.2 0.4 0.6 -VSD- Body Diode Forward Voltage(V) 1.4 MAR-29-2006 NIKO-SEM シングル PLogic チャンネル MOSFET P-Channel Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ELM32407LA-S 4 4-4 P2504EDG TO-252 Lead-Free MAR-29-2006