单 P 沟道 MOSFET ELM34407AA-N ■概要 ■特点 ELM34407AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电 ·Vds=-30V 压,低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-8A ·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流(定常) 漏极电流(脉冲) Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -30 ±25 V V -8 -7 -30 A A Pd 2.5 1.3 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ 3 ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 稳定状态 稳定状态 典型值 最大值 单位 25 50 ℃/W ℃/W Rθjc Rθja ■引脚配置图 备注 ■电路图 SOP-8(俯视图) 引脚编号 引脚名称 1 SOURCE 1 8 2 SOURCE 2 7 3 SOURCE 3 6 4 5 4 5 6 GATE DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM34407AA-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -30 V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃ -10 Vds=0V, Vgs=±25V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) -0.8 -30 Vgs=-10V, Id=-8A Vgs=-4.5V, Id=-6A Vds=-10V, Id=-6A -1.5 26 44 7 μA ±100 nA -2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 -1 -3 V A 1 -6 A 3 32 55 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 920 190 pF pF Crss 120 pF Qg 18.5 nC 2 2.7 4.5 nC nC 2 2 7.7 5.7 20.0 ns ns ns 2 2 2 9.5 7.9 ns nC 2 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复电荷 Qgs Qgd Is=-1A, Vgs=0V Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-6A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-10V td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω tf Qrr 备注: 1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒, 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 NIKO-SEM 单 P 沟道 MOSFET P-Channel Logic Level Enhancement ModeELM34407AA-N Field Effect Transistor ■标准特性和热特性曲线 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P3203EVG SOP-8 Lead-Free NIKO-SEM 单 PLogic 沟道Level MOSFET P-Channel Enhancement ModeELM34407AA-N Field Effect Transistor 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P3203EVG SOP-8 Lead-Free