elm34417aa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM34417AA-N
■概要
■特長
ELM34417AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-6A
・ Rds(on) < 45mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Id
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
±20
-6
-5
V
-30
2.5
A
A
3
W
1.3
-55 ～ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
定常状態
記号
Rθjc
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
25
単位
℃/W
50
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM34417AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=125℃
-10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-0.9
-30
±100 nA
-1.5 -3.0
V
A
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-6A
Vgs=-4.5V, Id=-5A
37
60
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=-10V, Id=-6A
16
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
Is=-1A, Vgs=0V
ダイオード　パルス電流
動的特性
入力容量
Ism
ドレイン - ソースオン状態抵抗
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ciss
Vgs=0V, Vds=-15V
Coss
f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-6A
td(on)
Vgs=-10V, Vds=-15V
tr
Id=-1A, RL=1Ω
td(off)
Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1％
4-2
μA
45
75
mΩ
1
S
1
-1.2
-2.1
V
A
1
-4
A
3
530
pF
135
70
pF
pF
10.0
1
14.0
nC
2
2.2
2.0
nC
nC
2
2
5.7
10.0
18.0
ns
ns
ns
2
2
2
5.0
ns
2
15.5
7.9
ns
nC
NIKO-SEM
P-Channel
Level Enhancement
シングル Logic
P チャンネル
MOSFET
Mode Field Effect Transistor
ELM34417AA-N
P06P03LVG
SOP-8
Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
3
4-3
JUN-10-2004
NIKO-SEM
シングル P チャンネル MOSFET
P-Channel Logic Level Enhancement
ELM34417AA-N
Mode
Field Effect Transistor
4
4-4
P06P03LVG
SOP-8
Lead-Free
JUN-10-2004