双 N 沟道 MOSFET ELM36800EA-S ■概要 ■特点 ELM36800EA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。 ·Id=3.5A ·Rds(on) < 68mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 98mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流(定常) 30 ±20 3.5 2.8 10 Id 漏极电流(脉冲) Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 V V A A Pd 1.15 0.73 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ 3 ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 稳定状态 t≦10s Rθja 1 2 单位 ℃/W 150 ℃/W 80 ℃/W 备注 ■电路图 SOT-26(俯视图) 5 最大值 110 Rθjl ■引脚配置图 6 典型值 4 3 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE1 SOURCE2 3 4 GATE2 DRAIN2 5 6 SOURCE1 DRAIN1 D2 D1 G2 G1 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 N 沟道 MOSFET ELM36800EA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 30 V Vds=24V,Vgs=0V 1 Vds=20V,Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 1.0 10 1.5 ±100 nA 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 1.2 V 1 240 pF 正向跨导 Gfs Vgs=10V, Id=3.5A Vgs=4.5V, Id=2A Vds=5V, Id=3.5A 二极管正向压降 动态特性 Vsd If=0.8A, Vgs=0V 输入电容 Ciss 200 输出电容 反馈电容 开关特性 Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss 40 20 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Qgd 6.5 1.2 1.6 8.5 nC nC nC 2 2 2 Vgs=10V, Vds=15V, Id=3.5A 55 75 4.5 μA 68 98 pF pF 导通延迟时间 导通上升时间 td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V, Id=1A 7 12 11 18 ns ns 2 2 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω tf trr If=0.8A, dlf/dt=100A/μs 12 7 40 18 11 80 ns ns ns 2 2 备注: 1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒, 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 N 沟道 MOSFET NIKO-SEM P6803HAG Dual N-Channel Enhancement Mode ELM36800EA-S Field Effect Transistor TSOP-6 Lead-Free ■标准特性和热特性曲线 ID, Drain-source current(A) VGS= 10V 6.0V RDS(ON), Normalized Drain-source on-resistance On-Region Characteristics. 10 4.5V 8 4.0V 6 4 3.5V 2 3.0V 0 0 1 On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. 2 1.8 VGS= 4.0V 1.6 4.5V 1.4 5.0V 1.2 6.0V 7.0V 1 10V 0.8 2 0 4 3 2 VGS, Drain-Source Voltage(V) 4 6 8 10 ID, Drain Current(A) On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 1.6 ID= 3.5A VGS= 10V 1.4 1.2 1 0.8 0.6 -50 0.275 RDS(ON), On-resistance(OHM) DS(ON) R , Normalized Drain-source on-resistance On-Resistance Variation with Temperature. 0.175 0.125 0 25 75 50 100 125 TA= 125°C TA= 25°C 0.075 0.025 -25 ID=2A 0.225 150 4 2 TJ, Junction Temperature(°C) Is, Reverse Drain Current (A) 10 ID, Drain Current(A) 125°C TA= -55°C 8 25°C 6 4 2 0 1 2 3 4 8 10 Body Diode Forword Voltage Variation with Source Current and Temperature. Transfer Characteristics. VDS= 5V 6 VGS, Gate to Source Voltage(V) 5 VGS, Gate to Source Voltage(V) 6 10 VGS= 0V 1 TA= 125°C 25°C 0.1 -55°C 0.01 0.001 0.0001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 VSD, Body Diode Forword Voltage(V) 3 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 OCT-12-2005 1.4 双 N 沟道 MOSFET NIKO-SEM 10 ID = 3.5A 400 15V VDS= 5V Capacitance(pF) 8 VGS (Voltage) 10V 6 4 2 300 2 3 4 6 5 Ciss 200 Coss 100 0 1 Crss 0 7 0 5 10 Qg (nC) 20 25 30 Single Pulse Maximum Power Dissipation. 5 30 100 us 10 T IMI N)L O ( S RD 3 4 1m s 10m s 1 100 ms 1s DC 0.3 VGS= 10V SINGLE PULSE R¿ JA=150°C/W TA=25°C 0.1 0.03 0.1 0.3 1 Power(W) ID, Drain Current(A) 15 VGS (Voltage) Maximum Safe Operating Area. 0.01 TSOP-6 Lead-Free Capacitance Characteristics Gate-Charge Characteristics 0 P6803HAG Dual N-Channel Enhancement Mode ELM36800EA-S Field Effect Transistor 3 2 VGS= 10V SINGLE PULSE R¿ JA=150°C/W TA=25°C 1 3 10 30 0 0.01 50 VDS, Drain-Source Voltage(V) 0.1 1 10 100 300 Single pulse time(SEC) 1 D=0.5 0.5 P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance Transient Thermal Response Curve. 0.2 0.2 0.1 0.05 0.05 0.02 R¿ JA(t) = r(t) * R¿ �� R¿ JA=150°C/W TJ-TA=P*R¿ JA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 0.02 0.01 Single Pulse 0.01 0.0001 t1 t2 0.1 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t1 Time(Sec) 4 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 OCT-12-2005 300