双 N 沟道 MOSFET ELM34808AA-N ■概要 ■特点 ELM34808AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=7A ·Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 37mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 30 ±20 7 6 20 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 V V A A Pd 2.0 1.3 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ 3 ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 稳定状态 最大值 单位 62.5 ℃/W Rθja ■引脚配置图 备注 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 典型值 5 引脚编号 引脚名称 1 2 SOURCE1 GATE1 3 4 SOURCE2 GATE2 5 6 7 DRAIN2 DRAIN2 DRAIN1 8 DRAIN1 D2 D1 G2 G1 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 N 沟道 MOSFET ELM34808AA-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 30 V Vds=24V,Vgs=0V 1 Vds=20V,Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 1.0 20 Vgs=10V, Id=7A Vgs=4.5V, Id=6A Vds=5V, Id=7A 1.5 18 25 19 μA ±100 nA 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 1 1.3 V A 1 2.6 A 3 25 37 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz 790 175 pF pF Crss 65 pF Qg 16.0 nC 2 2.5 2.1 nC nC 2 2 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 Qgs Qgd If=1A, Vgs=0V Vgs=10V, Vds=15V, Id=7A td(on) tr Vgs=10V, Vds=10V td(off) Id=1A, Rgen=6Ω tf 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 2.2 7.5 11.8 4.4 15.0 21.3 ns ns ns 2 2 2 3.7 7.4 ns 2 NIKO-SEM P2503HVG Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOP-8 Lead Free 双 N 沟道 MOSFET ELM34808AA-N ■标准特性和热特性曲线 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V T A = 125° C Is - Reverse Drain Current(A) 10 25° C 1 -55° C 0.1 0.01 0.001 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 1.4 NIKO-SEM 双 N 沟道 Enhancement MOSFET Dual N-Channel Mode Field Effect Transistor ELM34808AA-N 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P2503HVG SOP-8 Lead Free