单 N 沟道 MOSFET ELM14408AA-N ■概要 ■特点 ELM14408AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=30V 低导通电阻和快速开关的大电流 MOSFET。 ·Id=12A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 13mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 16mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 30 ±12 漏极电流(脉冲) Idm 12 10 80 崩溃电流 持续崩溃能量 Iav Eav 30 100 漏极电流(定常) Id L=0.1mH Tc=25℃ 容许功耗 3.0 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 V V 1 A 2 A mJ 2, 5 2, 5 W 2.1 - 55 ~ 150 Tj, Tstg A ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 备注 23 48 12 40 65 16 ℃/W ℃/W ℃/W 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 引脚名称 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM14408AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 30 0.003 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 40 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 Gfs Vsd Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=10A Vds=5V, Id=10A Is=1A, Vgs=0V 30 1.5 10.5 14.0 16.0 21.0 13.0 48 0.76 16.5 Is Ciss 1020 输出电容 反馈电容 Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss 320 80 Rg 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Qgd 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 2.5 μA nA V A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 栅极电阻 开关特性 1.000 5.000 100 栅极阈值电压 Vgs=10V Rds(on) Id=12A V mΩ 1.00 S V 4.5 A 1200 pF pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 0.25 0.50 Ω 12.5 Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=12A 10.3 2.1 3.9 nC nC nC 3.9 3.0 19.2 5.5 6.0 30.0 ns ns ns 5.0 32 ns ns 32 nC td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=1.2Ω, Rgen=3Ω 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 tf trr If=12A, dlf/dt=100A/μs 2.6 26 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=12A, dlf/dt=100A/μs 18 备注: 1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到 电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM14408AA-N ■标准特性和热特性曲线 50 10V 40 3.5V Vds=5V 25 3V 20 30 Id(A) Id (A) 30 4.5V 20 15 125°C 10 10 5 Vgs=2.5V 0 0 1 2 3 4 5 0.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1.5 2 2.5 3 Normalized On-Resistance 1.8 14 Rds(on) (m�) 1 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 16 Vgs=4.5V 12 10 Vgs=10V 8 0 5 10 15 Vgs=10V Id=10A 1.6 Vgs=4.5V 1.4 1.2 1 0.8 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 40 1.0E+01 Id=10A Vgs=0V 1.0E+00 30 125°C 100 1.0E-01 Is (A) Rds(on) (m�) 25°C 0 125°C 20 1.0E-02 25°C 10 25°C 1.0E-03 1.0E-04 1.0E-05 0 0 2 4 6 8 0.0 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 单 N 沟道 MOSFET ELM14408AA-N 5 1250 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 1500 Vds=15V Id=12A 3 2 1 Ciss 1000 750 Coss 500 250 0 0 2 4 6 8 10 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.0 10.0 100�s Power (W) 1s 1.0 10s Tj(max)=150°C Ta=25°C 0 0.001 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0.01 0.1 100 10 100 1000 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 100 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 1 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance Tj(max)=150°C Ta=25°C 10 Vds (Volts) 10 30 20 DC 1 15 20 25 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 30 0.1 0.1 10 40 10ms 0.1s 0.0001 0.001 0.01 1 0.1 T 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4 70 Ta=25°C 60 Power Dissipation (W) Id(A), Peak Avalanche Current Id (Amps) 1ms 5 50 10�s Rds(on) limited Crss 0 12 50 40 30 ta � 20 L� Id BV � Vdd 10 0 0.00001 0.0001 0.001 Time in avalanche, tA (s) Figure 12: Avalanche capability 3 2 10s 1 SteadyState 0 25 50 75 100 125 Tcase (°C) Figure 13: Power De-rating (Note A) 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 150