复合沟道 MOSFET ELM14606AA-N ■概要 ■特点 ELM14606AA-N 是低输入电容、低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=30V P 沟道 ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=6.9A(Vgs=10V) ·Id=-6A(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 35mΩ(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 58mΩ(Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 漏极 - 源极电压 Vds 30 -30 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±20 ±20 V 6.9 5.8 30 -6.0 -5.0 -30 Pd 2.00 1.44 2.00 1.44 W Iar 15 20 A Ear Tj,Tstg 11 -55 ~ 150 20 -55 ~ 150 mJ ℃ Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 崩溃电流 持续崩溃能量 结合部温度及保存温度范围 L=0.1mH A 1 A 2 2 ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 稳定状态 t≤10s 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 稳定状态 Rθja 沟道 典型值 48.0 最大值 62.5 单位 N 74.0 110.0 ℃/W P 35.0 48.0 74.0 40.0 62.5 110.0 35.0 40.0 Rθjl Rθja Rθjl ■引脚配置图 备注 1 3 1 ℃/W 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE2 GATE2 3 4 SOURCE1 GATE1 5 DRAIN1 6 DRAIN1 7 8 DRAIN2 DRAIN2 ·N 沟道 ·P 沟道 D2 G2 7-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D1 G1 S2 S1 复合沟道 MOSFET ELM14606AA-N ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 30 0.002 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) Vgs=10V, Id=6.9A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Gfs Vsd 1.0 20 Ta=125℃ Vds=5V, Id=6.9A Is=1A 10.0 Crss Rg Qg Qg μA 100 nA 1.9 3.0 V A 22.5 31.3 34.5 28.0 38.0 42.0 15.4 0.76 Is Ciss Coss 1.000 5.000 Vgs=4.5V, Id=5A 正向跨导 二极管正向压降 V mΩ 1.00 S V 3 A 820 pF pF Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 680 102 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 77 3.0 3.6 pF Ω 13.84 6.74 16.60 8.10 nC nC 1.82 3.20 4.6 7.0 nC nC ns 4.1 20.6 5.2 6.0 30.0 8.0 ns ns ns Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω tf 寄生二极管反向恢复时间 trr If=6.9A, dlf/dt=100A/μs 16.5 20.0 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=6.9A, dlf/dt=100A/μs 7.8 10.0 nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO4606 ELM14606AA-N N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS ■标准特性曲线 (N 沟道 ) 10V 25 20 6V 5V 4.5V Id (A) 20 15 3.5V 10 Vgs=3V 5 Vds=5V 16 4V Id (A) 30 12 8 125°C 4 25°C 0 0 0 1 2 3 4 0 5 0.5 Normalized On-Resistance 50 Rds(on) (m� ) 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 1.6 60 Vgs=4.5V 40 30 20 Vgs=10V 10 0 5 10 15 1.5 Vgs=10V Id=5A 1.4 Vgs=4.5V 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 20 0 Id (Amps) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 100 150 200 Temperature ( °C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 70 60 1.0E+00 Id=5A 50 Is Amps Rds(on) (m� ) 1 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 125°C 40 1.0E-01 1.0E-02 125°C 1.0E-03 30 25°C 20 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0.0 10 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body diode characteristics Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 复合沟道 MOSFET AO4606 ELM14606AA-N N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 10 f=1MHz Vgs=0V 900 800 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 1000 Vds=15V Id=6.9A 6 4 2 700 Ciss 600 500 400 300 200 Coss 100 0 0 2 4 6 8 10 12 Crss 0 14 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge characteristics 100 0.1s 1s DC 1 0.1 Vds (Volts) 10 Z �ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 30 20 0 0.001 100 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 25 10 10s 0.1 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 30 10�s 10ms 1 15 40 Power W Id (Amps) 100�s 1ms 10 10 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max.)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 0.1 Pd Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000 复合沟道 MOSFET ELM14606AA-N ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 -30 -0.003 -1.000 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Rds(on) Vgs=-10V, Id=-6A -5.000 -1.2 -30 Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-5A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Gfs Vsd V Vds=-5V, Id=-6A Is=-1A, Vgs=0V ±100 nA -2.0 -2.4 V A 28 37 44 35 45 58 13 -0.76 Is Ciss Coss Crss Rg Qg Qg μA mΩ -1.00 S V -4.2 A 1100 pF pF Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 920 190 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 122 3.6 4.4 pF Ω 18.5 9.6 22.2 11.6 nC nC 2.7 4.5 7.7 11.5 nC nC ns 5.7 20.2 9.5 8.5 30.0 14.0 ns ns ns Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-6A 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) RL=2.7Ω, Rgen=3Ω tf 寄生二极管反向恢复时间 trr If=-6A, dlf/dt=100A/μs 20.0 24.0 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=-6A, dlf/dt=100A/μs 12.3 15.0 nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO4606 ELM14606AA-N ■标准特性曲线 (PELECTRICAL 沟道 ) P-CHANNEL TYPICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 30 -10V 25 -6V -5V Vds=-5V 25 20 20 -4V -Id (A) -Id (A) 30 -4.5V 15 -3.5V 10 5 15 10 125°C 5 Vgs=-3V 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.60 Vgs=-4.5V 50 Id=-6A Normalized On-Resistance 55 Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 60 1.40 45 40 Vgs=-10V 1.20 35 Vgs=-10V 30 25 Vgs=-4.5V 1.00 20 15 0.80 10 0 5 10 15 20 0 25 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 80 1.0E+01 70 1.0E+00 Id=-6A 60 1.0E-01 50 125°C 1.0E-02 -Is (A) Rds(on) (m� ) 25°C 0 125°C 40 1.0E-03 30 25°C 1.0E-04 20 25°C 1.0E-05 10 1.0E-06 0 3 4 5 6 7 8 9 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 AO4606 复合沟道 MOSFET ELM14606AA-N P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 10 1250 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 1500 Vds=-15V Id=-6A 6 4 Ciss 1000 2 750 500 Coss 0 0 4 8 12 16 0 20 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.0 10�s 100�s Rds(on) limited 0.1s 1ms 1s 1 -Vds (Volts) 10 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 30 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 20 DC 0.1 10 20 10 10s 0.1 15 30 10ms 1.0 10 40 Tj(max.)=150°C, Ta=25°C 10.0 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) Crss 250 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 0.01 T 7-7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000