单 N 沟道 MOSFET ELM14406AA-N ■概要 ■特点 ELM14406AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=11.5A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 16.5mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 26mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 30 ±12 漏极电流(脉冲) Idm 11.5 9.6 80 崩溃电流 持续崩溃能量 Iav Eav 25 78 漏极电流(定常) Id L=0.1mH Tc=25℃ 容许功耗 3.0 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 V V 1 A 2 A mJ 2, 5 2, 5 W 2.1 - 55 ~ 150 Tj, Tstg A ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 备注 23 48 12 40 65 16 ℃/W ℃/W ℃/W 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 引脚名称 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM14406AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 30 0.003 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.8 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 60 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=10A Vgs=2.5V, Id=8A Vds=5V, Id=10A 1.5 μA nA V A 11.5 14.0 16.0 19.2 13.5 19.5 38 16.5 26.0 0.83 1.00 4.5 V A 2300 pF pF Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 1630 201 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 142 0.8 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=11.5A 18.0 2.5 栅极 - 漏极电荷 25 1.0 正向跨导 Is=10A, Vgs=0V 1.000 5.000 100 栅极阈值电压 Vgs=10V Id=12A V mΩ S 1.8 24.0 pF Ω nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 5.5 4.0 5.0 6.0 7.5 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=1.2Ω, Rgen=3Ω tf 32.0 5.0 50.0 10.0 ns ns 18.7 12.5 24.0 15.0 ns nC 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=10A, dlf/dt=100A/μs If=10A, dlf/dt=100A/μs 备注: 1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到 电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM14406AA-N ■标准特性和热特性曲线 50 10V 2.5V 3V 40 20 30 15 20 2V 0 1 2 3 4 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 25°C 5 Vgs=1.5V 0 125°C 10 10 0 5 0 30 0.5 1.5 2 2.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 3 Id=10A Normalized On-Resistance Vgs=2.5V 20 10 0 5 Vgs=2.5V 1.2 Vgs=10V 0 Vgs=4.5V 1.4 Vgs=4.5V 15 Vgs=10V 1.6 5 1 0.8 10 15 20 25 30 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 0 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 40 Id=10A Vgs=0V 1.0E+00 30 125°C 1.0E-01 125°C Is (A) Rds(ON) (m� ) 1 1.8 25 Rds(on) (m� ) Vds=5V 25 Id(A) Id (A) 30 4.5V 1.0E-02 20 25°C 1.0E-03 25°C 10 1.0E-04 0 0.00 1.0E-05 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.0 0.2 0.4 Vsd (Volts) 0.6 0.8 1.0 Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 N 沟道 MOSFET ELM14406AA-N 5 2250 2000 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 2500 Vds=15V Id=11.5A 3 2 1 1750 Ciss 1500 1250 1000 750 Coss Crss 500 250 0 0 4 8 12 16 20 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 0 24 0 100.0 Rds(on) limited 1ms 10.0 Power (W) Id (Amps) 0.1s 1s 10 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 20 0 0.001 DC 0.1 0.1 30 10 10s Tj(max)=150°C Ta=25°C 15 20 25 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 40 10ms 1.0 10 50 10�s 100�s 5 1 D=T on/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 100 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 T 1 10 0.1 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 0.001 0.01 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000