单 N 沟道 MOSFET ELM544634A-N ■概要 ■特点 ELM544634A-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=18A ·Rds(on) = 5.8mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) = 7.2mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 漏极电流（定常）(Tj=150℃) Ta=25℃ Ta=70℃ 30 ±20 18 15 50 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 V V A A Pd 2.8 1.8 W Tj, Tstg -55 to 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 典型值 最大值 单位 62.5 ℃/W Rθja ■引脚配置图 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 SOURCE SOURCE 3 4 SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM544634A-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 30 V 1 Ta=85℃ 10 1.0 15 μA ±100 nA 2.0 V A Vgs=10V, Id=18A Vgs=4.5V, Id=15A Vds=15V, Id=10A 4.8 6.0 24 5.8 7.2 Is=10A, Vgs=0V 0.8 1.3 3.8 mΩ S V A 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 导通延迟时间 Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr td(off) tf Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=10A Vgs=10V, Vds=15V RL=1.5Ω, Id=10A, Rgen=1.0Ω 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 2800 480 300 22 8 pF pF pF 42 nC nC 7 15 30 nC ns 12 30 10 20 50 20 ns ns ns AFN4634WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology单 N 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM544634A-N ■标准特性和热特性曲线 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A May 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN4634WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology单 N 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM544634A-N Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A May 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN4634WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology单 N 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM544634A-N Typical Characteristics ■测试电路和波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A May 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。