单 N 沟道 MOSFET ELM5K8471A-S ■概要 ■特点 ELM5K8471A-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=60V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=5.8A ·Rds(on) < 54mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 60mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） 60 ±20 5.8 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A 4.2 10 Idm 容许功耗 V V A 2.8 W 1.2 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja 典型值 ■引脚配置图 最大值 120 ■电路图 D SOT-223(俯视图) 1 2 单位 ℃ /W 3 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 单 N 沟道 MOSFET ELM5K8471A-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=60V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 60 V 1 Ta=85℃ 5 1.0 10 μA ±100 nA 2.5 V A Vgs=10V, Id=5.8A Vgs=4.5V, Id=4.2A Vds=15V, Id=2.4A 48 54 24 54 60 Is=1.6A, Vgs=0V 0.8 1.2 1.6 Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz 890 85 48 mΩ S V A 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 导通延迟时间 Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr td(off) tf Vgs=5V, Vds=30V, Id=3.0A Vgs=4.5V, Vds=30V RL=6.8Ω, Id=3.0A, Rgen=6Ω 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 10.0 3.5 pF pF pF 15.0 nC nC 3.6 10 15 nC ns 12 25 10 20 35 15 ns ns ns AFN8471 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology单 N 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM5K8471A-S ■标准特性和热特性曲线 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev. A May 2011 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN8471 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 N 沟道 MOSFET ELM5K8471A-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev. A May 2011 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN8471 Alfa-MOS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology 单 N 沟道 MOSFET ELM5K8471A-S Typical■测试电路和波形 Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev. A May 2011 www.alfa-mos.com Page 5 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。