单 N 沟道 MOSFET ELM5E402PA-S ■概要 ■特点 ELM5E402PA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=20V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=0.7A ·Rds(on) = 360mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 420mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) = 560mΩ (Vgs=1.8V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ 容许功耗 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg ■引脚配置图 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 20 ±12 0.7 A 0.4 1.0 A 0.27 W 0.16 -55 ~ 150 ℃ ■电路图 SOT-523(俯视图) 3 1 V V 2 D 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM5E402PA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Vgs=4.5V, Id=0.6A Rds(on) Vgs=2.5V, Id=0.5A Vgs=1.8V, Id=0.4A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Gfs Vsd 20 V 1 Ta=85℃ Vds=10V, Id=0.4A Is=0.15A, Vgs=0V 5 0.3 0.7 300 240 420 1 0.65 Is Ciss Coss μA ±1 mA 0.8 V A 360 420 560 mΩ 1.20 S V 0.3 A 70 20 pF pF Crss 8 pF Qg 1.06 Qgs Qgd 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 td(on) tr td(off) 关闭下降时间 tf Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=0.6A Vgs=4.5V, Vds=10V RL=20Ω, Id=0.5A, Rgen=1Ω 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.38 0.18 0.32 nC nC nC 18 20 70 26 28 110 ns ns ns 25 40 ns AFN1012E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 N 沟道 MOSFET ELM5E402PA-S Typical Characteristics ■标准特性和热特性曲线 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN1012E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 N 沟道 MOSFET ELM5E402PA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN1012E Alfa-MOS 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology 单 N 沟道 MOSFET ELM5E402PA-S Typical■测试电路和波形 Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 5 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。