シングル N チャンネル MOSFET ELM544634A-N ■概要 ■特長 ELM544634A-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=18A ・ Rds(on) = 5.8mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) = 7.2mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 連続ドレイン電流 (Tj=150℃ ) 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 30 V ±20 V Ta=25℃ 18 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 A 2.8 1.8 - 55 ～ 150 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 A 15 50 Tj, Tstg W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 62.5 単位 ℃/W ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 5-1 � � � シングル N チャンネル MOSFET ELM544634A-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Ta=85℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 15 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Gfs Vsd Is 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 V 4.8 6.0 Vds=15V, Id=10A Is=10A, Vgs=0V 24 0.8 Vgs=4.5V, Vds=15V Id=10A Qgd td(on) Vgs=10V, Vds=15V tr RL=1.5Ω, Id=10A td(off) Rgen=1.0Ω tf 5-2 μA ±100 nA 2.0 V A Vgs=10V, Id=18A Vgs=4.5V, Id=15A Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 1 10 5.8 7.2 1.3 3.8 mΩ S V A 2800 480 pF pF 300 pF 22 8 42 nC nC 7 15 12 30 20 nC ns ns 30 10 50 20 ns ns AFN4634WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology シングル N チャンネル Enhancement MOSFET Mode MOSFET ELM544634A-N ■標準特性と熱特性曲線 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A May 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN4634WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Mode MOSFET シングル N チャンネル Enhancement MOSFET ELM544634A-N Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A May 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN4634WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET ELM544634A-N Typical Characteristics ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A May 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5-5