单 N 沟道 MOSFET ELM3C0660A ■概要 ■特点 ELM3C0660A 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=600V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=6A · Rds(on) < 1.25Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 漏极 - 源极电压 Vds 600 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±30 6.0 4.3 V A 4 Idm Eas 20 45 A mJ 3, 4 5 Pd 24 10 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ Ta=25℃ Ta=100℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） 崩溃能量 L=10mH Id Tc=25℃ Tc=100℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθjc Rθja 典型值 最大值 5.2 单位 ℃ /W 62.5 ℃ /W ■引脚配置图 ■电路图 D TO-220F(俯视图) 1 2 备注 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE DRAIN SOURCE 6-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 单 N 沟道 MOSFET ELM3C0660A ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 600 V Vds=600V, Vgs=0V, Ta=25℃ 25 Vds=600V, Vgs=0V, Ta=100℃ 250 Vds=0V, Vgs=±30V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vds=10V, Vgs=10V 2.5 20 Rds(on) Vgs=10V, Id=3A Gfs Vds=10V, Id=3A Vsd If=10A, Vgs=0V 0.98 8 Is 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 开关特性 Coss Crss 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Qgd 导通延迟时间 导通上升时间 td(on) tr 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 td(off) tf trr 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=300V, Id=6A Vds=300V, Id=6A, Rgen=25Ω If=6A, dIf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 只限于最大允许温度 5. Vdd=50V时, 开始Tj=25℃ 6-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 μA ±250 nA 4.5 V A 1 1.5 Ω S V 1 1 1 6 A 3 1.25 1274 pF 126 23 pF pF 28.9 5.8 10.0 nC nC nC 2 2 2 47 32 ns ns 2 2 140 55 560 ns ns ns 2 2 6 μC 单 N 沟道 MOSFET ELM3C0660A ■标准特性和热特性曲线 6-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM3C0660A � � � 6-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM3C0660A 6-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM3C0660A 6-6 ELM 的英文版或日文版。 如需确认语言的准确性 , 请参考