单 N 沟道 MOSFET ELM3C0850A ■概要 ■特点 ELM3C0850A 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=500V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=8A · Rds(on) < 0.85Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 漏极 - 源极电压 Vds 500 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±30 8 5 V A 4 Idm Ias 34 6.8 A A 3, 4 5 Eas 232 43 mJ 5 Ta=25℃ Ta=100℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） 崩溃电流 崩溃能量 L=10mH Tc=25℃ 容许功耗 Id Pd Tc=100℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg W 17 -55 to 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 记号 Rθjc Rθja 最大结合部 - 环境热阻 典型值 最大值 单位 2.9 62.5 ℃ /W ℃ /W ■引脚配置图 ■电路图 D TO-220F(俯视图) 1 2 备注 3 引脚编号 引脚名称 1 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 单 N 沟道 MOSFET ELM3C0850A ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 漏极 - 源极导通电阻 Gfs Vsd Is 脉冲电流 动态特性 Ism 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 开关特性 Coss Crss 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Qgd 25 Vds=500V, Vgs=0V, Ta=100℃ 250 Vds=0V, Vgs=±30V 2.5 Vds=20V, Id=4A If=4A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=250V, Id=4.8A 导通延迟时间 导通上升时间 td(on) tr Vds=250V, Id=4.8A 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 td(off) Rgen=25Ω tf trr If=4.8A, dIf/dt=100A/μs Qrr Vgs=0V 寄生二极管反向恢复电荷 V Vds=500V, Vgs=0V, Ta=25℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Rds(on) Vgs=10V, Id=4A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 500 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 只限于最大允许温度 5. Vdd=60V时, 开始Tj=25℃ 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 0.65 μA ±100 nA 4.5 0.85 V Ω 1 1.7 8 S V A 1 1 3 34 A 3 7 1250 pF 138 14 pF pF 21.6 7.2 6.6 nC nC nC 2 2 2 23 71 ns ns 2 2 112 69 360.0 ns ns ns 2 2 0.8 μC 单 N 沟道 MOSFET ELM3C0850A 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM3C0850A 4-4 ELM 的英文版或日文版。 如需确认语言的准确性 , 请参考