双 P 沟道 MOSFET ELM34801AA-N ■概要 ■特点 ELM34801AA-N 是 P 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=-30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=-6A ·Rds(on) < 50mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） -30 ±20 -6 -5 -30 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 V V A A Pd 2.5 1.3 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ 3 ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 稳定状态 最大值 单位 62.5 ℃/W Rθja ■引脚配置图 备注 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 典型值 5 引脚编号 引脚名称 1 2 SOURCE1 GATE1 3 4 SOURCE2 GATE2 5 6 7 DRAIN2 DRAIN2 DRAIN1 8 DRAIN1 D2 D1 G2 G1 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 P 沟道 MOSFET ELM34801AA-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -30 V Vds=-24V,Vgs=0V -1 Vds=-20V,Vgs=0V, Ta=125℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) -0.9 -30 Vgs=-10V, Id=-6A Vgs=-4.5V, Id=-5A Vds=-10V, Id=-6A -1.5 40 65 16 μA ±100 nA -3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 -1.2 -2.1 V A 1 -4 A 3 50 80 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 530 135 pF pF Crss 70 pF Qg 10.0 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Qgs Qgd If=-1A, Vgs=0V 14.0 nC 2 Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-6A 2.2 2.0 nC nC 2 2 td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V , Id=-1A td(off) RL=1Ω, Rgen=6Ω 5.7 10.0 18.0 ns ns ns 2 2 2 5.0 15.5 7.9 ns ns nC 2 tf trr Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs If=-5A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Logic Level Enhancement P06B03LVG NIKO-SEM Dual P-Channel Mode Field Effect Transistor SOP-8 双 P 沟道 MOSFET Lead Free ELM34801AA-N ■标准特性和热特性曲线 3 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 May-04-2005 LogicMOSFET Level Enhancement P06B03LVG 双 P 沟道 NIKO-SEM Dual P-Channel Mode Field Effect Transistor ELM34801AA-N 4 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 SOP-8 Lead Free May-04-2005