单 N 沟道 MOSFET ELM3C1260A ■概要 ■特点 ELM3C1260A 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=600V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=12A · Rds(on) < 0.65Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=100℃ 600 ±30 V V 漏极电流（脉冲） Idm 12.0 8.5 48 崩溃电流 Ias 7.4 A 5 5 漏极电流（定常） Id A 4 A 3, 4 崩溃能量 L=10mH Eas 277 mJ 容许功耗 Tc=25℃ Tc=100℃ Pd 50 20 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ 结合部温度及保存温度范围 ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 记号 Rθjc Rθja 最大结合部 - 环境热阻 典型值 最大值 单位 2.5 62.5 ℃ /W ℃ /W ■引脚配置图 ■电路图 D TO-220F(俯视图) 1 2 备注 3 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 DRAIN 3 SOURCE 6-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 单 N 沟道 MOSFET ELM3C1260A ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 漏极 - 源极导通电阻 Gfs Vsd Is 动态特性 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 V Vds=600V, Vgs=0V, Ta=25℃ 25 Vds=600V, Vgs=0V, Ta=100℃ 250 Vds=0V, Vgs=±30V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Rds(on) Vgs=10V, Id=6A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 600 2.5 Vds=40V, Id=6A If=8A, Vgs=0V 0.475 μA ±100 nA 4.5 0.650 V Ω 1 1.4 12 S V A 1 1 3 16 2290 pF 281 pF Crss 46 pF Qg 46.5 nC 2 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=10V, Vds=300V, Id=6A Qgd td(on) 10.0 16.1 35 nC nC ns 2 2 2 导通上升时间 关闭延迟时间 tr Vds=300V, Id=6A, Rgen=25Ω td(off) 120 115 ns ns 2 2 90 420 4.7 ns ns μC 2 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 tf trr Qrr Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz If=12A, dIf/dt=100A/μs Vgs=0V 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 只限于最大允许温度 5. Vdd=50V时, 开始Tj=25℃ 6-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM3C1260A ■标准特性和热特性曲线 6-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM3C1260A � � � � � � � � � 6-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM3C1260A 6 - 5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM3C1260A 6-6 ELM 的英文版或日文版。 如需确认语言的准确性 , 请参考