elm32402la

单 N 沟道 MOSFET
ELM32402LA-S
■概要
■特点
ELM32402LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压，
·Vds=20V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=20A
·Rds(on) < 50mΩ (Vgs=5V)
·Rds(on) < 85mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
栅极 - 源极电压
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vgs
±16
20
13
V
Idm
40
A
Pd
26
11
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
Ta=25℃
Ta=100℃
漏极电流（定常）
Id
漏极电流（脉冲）
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
A
3
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθjc
稳定状态
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
4.8
单位
℃/W
110.0
℃/W
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
2
1
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM32402LA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时 ,Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
20
V
Vds=16V,Vgs=0V
1
Vds=13.2V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±16V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
0.45
20
Vgs=5V, Id=6A
Vgs=2.5V, Id=5A
Vds=10V, Id=6A
0.75
37
55
13
μA
±100
nA
1.00
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.3
20
V
A
1
40
A
3
50
85
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
195
125
pF
pF
Crss
50
pF
Qg
7.5
nC
2
Vgs=5V, Vds=10V, Id=10A
0.9
4.0
nC
nC
2
2
td(on)
tr
Vgs=5V, Vds=10V , Id=1A
td(off) RL=1Ω, Rgen=3.3Ω
4.5
49.5
12.0
ns
ns
ns
2
2
2
6.0
ns
2
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
Qgs
Qgd
If=Is, Vgs=0V
tf
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NIKO-SEM
P5002CDG
N-Channel Logic
Enhancement
Mode Field
单 NLevel
沟道
MOSFET
Effect
Transistor
ELM32402LA-S
TO-252
Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
100
VGS= 0V
Is - Reverse Drain Current(A)
10
T = 125° C
1
25° C
0.1
-55° C
0.01
0.001
0.0001
0
0.6
0.2
0.4
0.8
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.0
1.2
NIKO-SEM
N-Channel Logic
Level
Enhancement
Mode Field
单N
沟道
MOSFET
Effect
Transistor
ELM32402LA-S
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
P5002CDG
TO-252
Lead-Free