elm34400aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM34400AA-N
■概要
■特点
ELM34400AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压，
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=10A
·Rds(on) < 12.5mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流（定常）
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
30
V
±20
V
10
8
Id
漏极电流（脉冲）
Idm
Tc=25℃
容许功耗
50
2.5
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
A
3
W
1.6
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
50
单位
℃/W
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
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D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM34400AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
30
V
Vds=24V,Vgs=0V
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
1.0
20
Vgs=10V, Id=10A
Vgs=4.5V, Id=5A
Vds=15V, Id=10A
1.5
9.5
13.0
38
μA
±100
nA
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.1
2.3
V
A
1
4.6
A
3
12.5
20.0
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
3100
600
pF
pF
Crss
275
pF
Qg
43.0
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
Qgs
Qgd
If=1A, Vgs=0V
60.0
nC
2
nC
nC
2
2
Vgs=10V, Vds=15V, Id=10A
9.0
7.0
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V , Id=1A
td(off) RL=25Ω, Rgen=6Ω
15
9
70
30
20
100
ns
ns
ns
2
2
2
20
50
80
80
ns
ns
2
tf
trr
If=2.3A, dlf/dt=100A/μs
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM34400AA-N
■标准特性和热特性曲线
4-3
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单 N 沟道 MOSFET
ELM34400AA-N
4-4
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