单 P 沟道 MOSFET ELM32405LA-S ■概要 ■特点 ELM32405LA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=-30V ·Id=-12A ·Rds(on) < 45mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ 容许功耗 Id -12 -10 A Idm -30 A 48 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -30 V ±20 V W 20 Tj, Tstg 3 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 记号 Rθjc 稳定状态 Rθja ■引脚配置图 典型值 最大值 3 单位 ℃/W 75 ℃/W 备注 ■电路图 D TO-252-3(俯视图) TAB 2 1 引脚编号 引脚名称 1 2 GATE DRAIN 3 SOURCE 3 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 单 P 沟道 MOSFET ELM32405LA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -30 V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) -1.0 -30 Vgs=-10V, Id=-12A Vgs=-4.5V, Id=-10A Vds=-10V, Id=-12A -1.5 37 60 16 μA ±250 nA -3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 -1.2 -12 V A 1 -30 A 3 45 75 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 530 135 pF pF Crss 70 pF 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Qg Qgs Qgd Is=-1A, Vgs=0V Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-12A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-1A, RL=1Ω, Rgen=6Ω tf trr Qrr If=-5A, dIf/dt=100A/μs If=-5A, dIf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 10.0 14.0 nC 2 2.2 2.0 nC nC 2 2 5.7 10.0 18.0 ns ns ns 2 2 2 5.0 15.5 7.9 ns ns nC 2 NIKO-SEM P-Channel Logic Enhancement 单P 沟道Level MOSFET Mode Field Effect Transistor ELM32405LA-S P06P03LDG TO-252 Lead-Free ■标准特性和热特性曲线 4- 3 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AUG-17-2004 NIKO-SEM 单 P 沟道 MOSFET P-Channel Logic Level Enhancement ModeELM32405LA-S Field Effect Transistor 4 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P06P03LDG TO-252 Lead-Free AUG-17-2004