单 P 沟道 MOSFET ELM34403AA-N ■概要 ■特点 ELM34403AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电 ·Vds=-55V 压,低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-4.5A ·Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流(定常) 漏极电流(脉冲) -4.5 -3.5 Id Idm Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -55 V ±20 V Pd A -20 2.5 A W 1.3 Tj, Tstg 3 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 稳定状态 典型值 最大值 单位 50 ℃/W Rθja ■引脚配置图 备注 ■电路图 SOP-8(俯视图) 引脚编号 引脚名称 1 SOURCE 1 8 2 SOURCE 2 7 3 SOURCE 3 6 4 5 4 5 6 GATE DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM34403AA-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时 ,Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -55 V Vds=-44V, Vgs=0V -1 Vds=-36V, Vgs=0V, Ta=125℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) -1.0 -20 Vgs=-10V, Id=-4.5A Vgs=-4.5V, Id=-3.5A Vds=-10V, Id=-4.5A -1.5 60 90 9 μA ±250 nA -2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 -1 -1.3 V A 1 -2.6 A 3 80 150 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz 760 90 pF pF Crss 40 pF 15.0 nC 2 2.5 3.0 nC nC 2 2 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Qg Qgs Qgd Is=If, Vgs=0V Vgs=-10V, Vds=-27.5V Id=-4.5A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-20V td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω tf trr Qrr If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs 备注: 1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒, 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 7 10 19 14 20 34 ns ns ns 2 2 2 12 15.5 7.9 22 ns ns nC 2 NIKO-SEM P8006EVG P-Channel Logic Level Enhancement 单 PField 沟道 MOSFET Mode Effect Transistor SOP-8 Lead-Free ELM34403AA-N ■标准特性和热特性曲线 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 -Is - Reverse Drain Current(A) V GS = 0V 10 1 T A = 125° C 0.1 25° C -55° C 0.01 0.001 0 0.2 0.6 0.8 1.0 0.4 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 1.4 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 SEP-30-2004 NIKO-SEM P-Channel Enhancement 单 PLogic 沟道Level MOSFET Mode Field Effect Transistor ELM34403AA-N 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P8006EVG SOP-8 Lead-Free