单 P 沟道 MOSFET ELM34423AA-N ■概要 ■特点 ELM34423AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片 ·Id=-8A ·Rds(on) < 20Ω (Vgs=-10V) 还内藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 35Ω (Vgs=-4.5V) ·ESD 保护 ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 崩溃电流 Id Idm Ias 崩溃能量 L=0.1mH Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Eas Pd Tj, Tstg 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -30 ±20 -8.0 V V -6.5 -50 -30 46 2.0 A 5 A A 3, 5 mJ W 1.3 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja ■引脚配置图 典型值 最大值 60 单位 ℃/W 备注 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM34423AA-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=70℃ -10 Vds=0V, Vgs=±16V ±30 nA -3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 V A 1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=-24V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 -30 -1.0 -50 Vgs=-10V, Id=-8A Vgs=-4.5V, Id=-7A Vds=-10V, Id=-8A -1.6 17 27 22 If=-8A, Vgs=0V 20 35 -1.2 -8 μA 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 柵极抵抗 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss Rg Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-8A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-8A, Rgen=6Ω tf trr Qrr If=-8A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%; 2. 独立于工作温度; 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制; 4. 占空比≤1%; 5. 只限于被允许的最高温度。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1500 293 207 pF pF pF 3.1 Ω 30 nC 2 5 8 nC nC 2 2 20 12 48 ns ns ns 2 2 2 22 18 7 ns ns nC 2 单 P 沟道 MOSFET ELM34423AA-N ■标准特性和热特性曲线 � � � � � � 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM34423AA-N � � � � � � � 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。