单 P 沟道 MOSFET ELM34409AA-N ■概要 ■特点 ELM34409AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=-30V ·Id=-9A ·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） Ta=70℃ -30 ±25 -9 Id 漏极电流（脉冲） Idm -7 -50 崩溃电流 崩溃能量 Ias Eas -26 34 L=0.1mH Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Pd Tj, Tstg V V A A 3 A mJ 2.5 W 1.6 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθjc Rθja 典型值 最大值 25 50 ■引脚配置图 单位 ℃/W ℃/W 备注 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 引脚名称 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM34409AA-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃ -10 Vds=0V, Vgs=±25V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=-24V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 -30 -1.0 9 Vgs=-10V, Id=-9A Vgs=-4.5V, Id=-7A Vds=-10V, Id=-9A -1.5 15 25 24 If=-1A, Vgs=0V μA ±100 nA -3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 V A 1 20 35 -1.2 -2.1 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 栅极抵抗 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss Rg Vgs=15mV, Vds=0V, f=1MHz Qg Qgs Qgd Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-9A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-1A, RL=1Ω, Rgen=6Ω tf 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1610 410 200 pF pF pF 3.7 Ω 31.4 nC 2 4.5 8.2 nC nC 2 2 5.7 10.0 18.0 ns ns ns 2 2 2 5.0 ns 2 单 P 沟道 MOSFET ELM34409AA-N ■标准特性和热特性曲线 � � � � � � 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM34409AA-N � � �� �� � � � �� �� � 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。