单 N 沟道 MOSFET ELM13434CA-S ■概要 ■概要 ELM13434CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电 ·Vds=30V 压,低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片 ·Id=4.2A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 52mΩ (Vgs=10V) 还内藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ·ESD 保护 ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Vds Vgs Ta=25℃ 漏极电流(定常) Id Ta=70℃ 漏极电流(脉冲) 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 10sec 稳定状态 30 V ±20 V 4.2 3.5 3.3 2.8 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 30 1.40 0.90 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg 1.00 0.64 -55~150 A 1, 6 A 2 W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t ≦10s 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 70 最大值 90 单位 ℃/W 100 125 ℃/W 63 80 ℃/W 1 3 ■回路 D SOT-23(俯视图) 3 1 备注 2 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 SOURCE DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 单 N 沟道 MOSFET ELM13434CA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=30V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±16V 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 导通时漏极电流 Id(on) 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 Rds(on) Gfs Vsd 30 1 Ta=55℃ 5 10 1.00 Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=4.2A V 1.32 1.80 30 Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=2A Vds=5V, Id=4.2A Is=1A, Vgs=0V μA μA V A 43 52 58 74 59 8.5 0.77 75 1.00 S V 1.8 A 340 pF 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 Coss Crss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 65 41 栅极电阻 开关特性 Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 1.0 1.5 Ω 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Qg Qg Qgs 5.70 3.00 1.37 7.20 nC nC nC 栅极 - 漏极电荷 Is mΩ 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) tf 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr 269 Vgs=10V, Vds=15V, Id=4.2A pF pF 0.65 2.6 5.5 3.8 8.0 nC ns ns RL=3.6Ω, Rgen=3Ω 15.2 3.7 23.0 5.5 ns ns If=4.2A, dlf/dt=100A/μs If=4.2A, dlf/dt=100A/μs 15.5 7.1 21.0 ns nC Vgs=10V, Vds=15V 备注: 1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到 电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 6. 额定电流是基于 t ≦ 10s 时的热阻评价得出的值。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET AO3434 ELM13434CA-S ■标准特性和热特性曲线 TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 30 20 4.5V 15 4V 9 3.5V 10 VDS=5V 12 6V ID(A) ID (A) 25 15 8V 10V 6 125�C 3 5 25� VGS=3V 0 0 1 2 0 3 4 5 0 VDS (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 3 4 5 6 1.8 Normalized On-Resistance VGS=4.5V 70 RDS(ON) (mΩ Ω) 2 VGS(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 80 60 50 40 VGS=10V 30 VGS=10V Id=4.2A 1.6 1.4 1.2 VGS=4.5V Id=3.5A 1 0.8 0 5 10 15 20 0 ID (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 102 ID=4.2A 90 78 1.0E+00 125� 1.0E-01 IS (A) RDS(ON) (mΩ Ω) 1 66 125� 1.0E-02 25�C THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL 54 1.0E-03 COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS 25� OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, C 42 1.0E-04 FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. 30 2 4 6 8 1.0E-05 10 0.0 VGS (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VSD (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 AO3434 单 N 沟道 MOSFET ELM13434CA-S TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 500 10 VDS=15V ID=4.2A 400 6 4 200 100 0 0 1 2 3 4 5 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 6 Coss Crss 0 100.0 5 10 15 20 25 VDS (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 30 30 10µs RDS(ON) limited 25 100µs 1.0 1ms 10ms 0.1 TJ(Max)=150�C TA=25�C 20 15 10 0.1s DC TJ(Max)=150�C TA=25�C Power (W) 10.0 ID (Amps) 300 2 0 5 10s 0 0.0 0.01 0.1 1 VDS (Volts) 10 0.001 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 Zθ JA Normalized Transient Thermal Resistance Ciss Capacitance (pF) VGS (Volts) 8 D=Ton/T TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA RθJA=125�C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS PD NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING 0.1 IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, Ton FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 1 10 0.01 0.1 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 0.001 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000