单 P 沟道 MOSFET ELM14423AA-N ■概要 ■特点 ELM14423AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电 ·Vds=-30V 压,低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片 ·Id=-15A (Vgs=-20V) ·Rds(on) < 7mΩ (Vgs=-20V) 还内藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 8.5mΩ (Vgs=-10V) ·ESD 规格∶ 6000V HBM ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流(定常) Ta=70℃ 漏极电流(脉冲) Id Idm Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Pd Tj, Tstg 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -30 ±25 -15.0 V V -12.1 -80 3.1 2.0 -55 ~ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 26 最大值 40 单位 ℃/W 50 14 75 24 ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM14423AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 Vds=-24V Vgs=0V -30 -100 Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±20V -500 ±1 Vds=0V, Vgs=±25V ±10 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Rds(on) 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Gfs Vsd Is 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 V Vgs=-20V Id=-15A -2.0 -80 Ta=125℃ Vgs=-10V, Id=-15A Vgs=-6V, Id=-10A -3.5 5.7 7.0 7.1 6.8 9.4 8.6 8.5 12.0 μA V A mΩ 43 -0.71 -1.00 -4.2 S V A Ciss 4632 pF Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss 1034 705 pF pF 2.5 Ω 82.0 nC 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-15A Qgd td(on) 16.8 23.0 18.5 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) RL=1Ω, Rgen=3Ω 20.0 55.0 ns ns 30.0 43 38 ns ns nC 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Rg Vds=-5V, Id=-15A Is=-1A, Vgs=0V -2.7 nA Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg tf trr Qrr If=-15A, dlf/dt=100A/μs If=-15A, dlf/dt=100A/μs 备注: 1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到 电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM14423AA-N ■标准特性和热特性曲线 30 50 -10V -6V -5V 30 20 -4.5V -Id(A) -Id (A) 40 Vds=-5V 25 20 125°C 15 10 Vgs=-4V 10 25°C 5 0 0 0 1 2 3 4 2 5 2.5 12 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 3.5 4 4.5 5 1.6 Vgs=-6V 10 8 Vgs=-10V 6 Vgs=-20V 4 Vgs=-10V Id = -15A 1.4 Vgs=-20V Id = -15A 1.2 Vgs=-6V Id = -10A 1 0.8 0 5 10 15 20 25 30 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 16 25 50 -Is (A) 10 175 125°C 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 25°C 6 1.0E-05 4 1.0E-06 8 150 1.0E+00 125°C 4 125 -15 1.0E+01 1.0E-01 8 100 -12.8 Id=-15A 12 75 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 14 Rds(on) (m� ) 3 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 12 16 25°C 0.0 20 0.2 0.4 0.6 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 单 P 沟道 MOSFET ELM14423AA-N 10 6000 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 7000 Vds=-15V Id=-15A 6 4 2 4000 3000 Coss 2000 1000 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Crss 0 90 0 100.0 5 10 15 20 25 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 40 Rds(on) limited 100�s 1ms 10.0 30 10ms 0.1s 1.0 1s Tj(max)=150°C Ta=25°C 10s DC 1 10 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 10 0 0.001 0.1 0.1 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s Power (W) -Id (Amps) Ciss 5000 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) 100 -12.8 0.01 -15 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 T 1 10 0.001 0.01 Pulse 0.1 Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000