单 P 沟道 MOSFET ELM16401EA-S ■概要 ■特点 ELM16401EA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电 ·Vds=-30V 压,低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-5A (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 49mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 64mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 119mΩ (Vgs=-2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流(定常) -30 ±12 -5.0 Id Ta=70℃ 漏极电流(脉冲) -4.2 -30 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg V V 2.00 1.44 - 55 ~ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 t≦10s 稳定状态 Rθja 稳定状态 Rθjl 典型值 47.5 74.0 最大值 62.5 110.0 单位 ℃/W ℃/W 备注 37.0 50.0 ℃/W 3 ■引脚配置图 ■电路图 SOT-26(俯视图) 6 1 5 2 1 4 3 引脚编号 1 引脚名称 DRAIN 2 3 4 DRAIN GATE SOURCE 5 6 DRAIN DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM16401EA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Rds(on) Ta=55℃ nA -1.0 -1.3 V A 42 49 74 64 Ta=125℃ mΩ 119 -0.75 -1.00 V -3 A 二极管正向压降 Vsd Is=-1A, Vgs=0V Coss Crss Rg ±100 81 11 Gfs 输出电容 反馈电容 栅极电阻 -0.7 -25 μA 53 正向跨导 Ciss -5 Vgs=-4.5V, Id=-4A Vgs=-2.5V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-5A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 V -1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-5A 漏极 - 源极导通电阻 -30 7 Is S 943 pF 108 73 6 pF pF Ω 9.5 nC 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=-4.5V, Vds=-15V, Id=-5A Qgd td(on) 2.1 2.9 6 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) RL=3Ω, Rgen=6Ω tf 3 40 11 ns ns ns 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg 寄生二极管反向恢复时间 trr If=-5A, dlf/dt=100A/μs 21.2 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs 12.8 nC 备注: 1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到 电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM16401EA-S ■标准特性和热特性曲线 10 25 Vds=-5V -10V 20 -4.5V 8 15 -Id (A) -Id (A) -3V -2.5V 10 2 0 0 0 1 2 3 4 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 5 0 120 1 1.5 2 2.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Normalized On-Resistance Vgs=-2.5V 80 1.2 60 Vgs=-4.5V 40 Vgs=-10V 3 Id=-5A Vgs=-4.5V Vgs=-10V 1.4 Vgs=-2.5V Id=-2A 1 0.8 20 0 2 4 6 8 0 10 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 190 170 1.0E+00 150 Id=-2A 1.0E-01 130 125°C 1.0E-02 110 90 -Is (A) Rds(on) (m� ) 0.5 1.6 100 Rds(on) (m� ) 125°C 4 25°C Vgs=-2V 5 6 125°C 70 1.0E-03 25°C 50 25°C 1.0E-04 . 1.0E-05 30 10 0 2 4 6 8 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1.0E-06 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 P 沟道 MOSFET ELM16401EA-S 5 1200 Capacitance (pF) 4 -Vgs (Volts) 1400 Vds=-15V Id=-5A 3 2 1 1000 600 400 Coss Crss 200 0 2 6 8 10 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.0 10.0 4 Tj(max)=150°C Ta=25°C 0 10ms 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 10 1s 10s DC 0.1 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 15 20 25 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 30 100�s 0.1s 1 10 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 10 10�s 1ms 0.1 5 40 Rds(on) limited 1.0 0 12 Power (W) 0 -Id (Amps) Ciss 800 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 100 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000