单 P 沟道 MOSFET ELM36405EA-S ■概要 ■特点 ELM36405EA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=-20V ·Id=-5A ·Rds(on) < 44mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-2.5V) ·Rds(on) < 100mΩ (Vgs=-1.8V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 -20 ±12 V V -5 Id Ta=70℃ 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Tj, Tstg A -4 -20 A 2.0 1.4 -55 ~ 150 3 W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤5s 稳定状态 Rθja 最大结合部 - 引脚架热阻 稳定状态 Rθjl 典型值 最大值 62.5 110.0 单位 ℃/W ℃/W 50.0 ℃/W ■引脚配置图 ■电路图 SOT-26(俯视图) 引脚编号 引脚名称 5 1 2 DRAIN DRAIN 3 4 5 GATE SOURCE DRAIN 6 DRAIN 6 1 2 备注 4 3 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM36405EA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-16V, Vgs=0V, Ta=125℃ -10 Vds=0V, Vgs=±12V nA -0.45 -0.80 -1.20 -20 V A 1 37 55 75 mΩ 1 -1 S V 1 1 Is -3 A Ism -6 A 漏极 - 源极导通电阻 Vgs=-4.5V, Id=-5A Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-4A Vgs=-1.8V, Id=-2A 二极管脉冲电流 动态特性 输入电容 μA ±100 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 寄生二极管最大连续电流 V Vds=-16V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 二极管正向压降 -20 Gfs Vsd Vds=-5V, Id=-5A Is=-1A, Vgs=0V 44 70 100 14 3 Ciss 1100 pF 输出电容 反馈电容 开关特性 Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Crss 170 140 pF pF 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 12.5 2.1 nC nC 2 2 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V 3.5 7 10 nC ns ns 2 2 2 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复电荷 td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω tf Qrr 30 22 20 ns ns nC 2 2 Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-5A 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P4402FAG P 沟道 MOSFET P-Channel单Logic Level Enhancement NIKO-SEM TSOP-6 Lead-Free Mode Field Effect Transistor ELM36405EA-S ■标准特性和热特性曲线 On-Region Variation With Drain Current and Gate Voltage. On-Region Characteristics. 3 VGS=-4.5V -3.0V -3.5V 12 RDS(ON), Normalized Drain-Source On-Resistance -ID, Drain Current(A) 15 -2.5V 9 6 -2.0V 0 0.5 1 1.5 2 -2.5V 2 1 0.5 2.5 -VGS, Drain-Source Voltage(V) On-Region Variation With Temperature. VGS=-4.5V 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 -50 -25 0 25 50 75 0 3 100 125 15 ID=-2.5A 0.12 0.1 TA=125° 0.08 0.06 TA=25° 0.04 0.02 1.5 150 2 2.5 3 4 3.5 4.5 5 -VSD, Gate To Source Voltage(V) Body Diode Forward Voltage Variation With Source Current and Temperature. Transfer Characteristics. 10 -IS, Reverse Drain Current(A) VDS=-5.0V 8 TA=-55°C -ID(A) 12 9 -ID, Drain Current(A) 0.14 TJ, Junction Temperature(C°) 10 6 -4.0V On-Region Variation WithGate-to Source Voltage. ID=-5A 1.4 -4.5V 0.18 RDS(ON),On-Resistance(OHM) RDS(ON), Normalized Drain-Source On-Resistance 1.5 -3.0V -3.5V 1.5 3 0 VGS=-2.0V 2.5 25°C 6 125°C 4 2 0 0.5 1 1.5 TA=125° 25° C 0.1 -55° C 0.01 0.001 0.0001 0 VGS=0V 1 2 -VGS(Volts) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 -VSD, Body Diode Forward Voltage(V) 3 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 Aug-03-2006 单 P 沟道 MOSFET P4402FAG Level Enhancement NIKO-SEM P-Channel Logic ELM36405EA-S TSOP-6 Lead-Free Mode Field Effect Transistor Gate Charge Characteristics. 5 f=1MHz ID=-5A VDS=-5.0V Capacitance(pF) VGS, Gate-Source Voltage(V) Capacitance Characteristics. 2000 4 -10V -15V 3 2 1600 1200 800 Coss 1 400 0 0 0 3 6 9 12 15 18 Crss 0 5 10 Maxmum Safe Operating Area. P(pk), Peak Transient Power(W) 100� s 1ms 10 10ms 100ms 1 0.1 10s DC 1s VGS =-4.5V SINGLE PULSE R� JA=156°C/W TA=25°C 0.01 0.1 10 1 20 Sing Pulse Maximum Power Dissipation. 5 100 RDS(ON) LIMIT 15 -VGS(Volts) Qg Gate Charge (nC) SINGLE PULSE R� JA=156°C/W TA=25°C 4 3 2 1 0 100 0.1 1 -VGS,Drain-Source Voltage(V) 10 100 1000 t1,Time(SEC) Transisent Thermal Response Curve. 1 D=0.5 0.2 0.1 R¿ JA(t) = r(t) + R¿ R¿ JA=156°C/W 0.1 0.05 0.02 0.01 �� P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance -ID,Drain Current(A) VGS=0V Ciss 0.01 t1 Single Pulse t2 TJ-TA=P*R¿ JA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 0.001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1,Time(SEC) 1 4 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 10 100 300 Aug-03-2006