单 N 沟道 MOSFET ELM34414AA-N ■概要 ■特点 ELM34414AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=15A ·Rds(on) < 8mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 12mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=90℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 30 V ±20 V 15 12 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ 容许功耗 50 2.5 Pd Tc=90℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A A 3 W 2.0 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 记号 Rθja ■引脚配置图 典型值 最大值 50 单位 ℃/W 备注 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 3 SOURCE SOURCE SOURCE 4 5 6 GATE DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM34414AA-N ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 二极管脉冲电流 30 V Vds=24V,Vgs=0V 1 Vds=20V,Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Vgs=10V, Id=15A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=12A Gfs Vds=15V, Id=15A Vsd If=3A, Vgs=0V 1.0 μA ±100 nA 1.5 6.8 3.0 8.0 V 8.8 60 12.0 Is Ism mΩ 1 1.1 S V 1 1 3 6 A A 3 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss 1900 530 120 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 18.0 4.2 Vgs=10V, Vds=15V, Id=15A pF pF pF 28.0 nC nC 2 2 导通延迟时间 Qgd td(on) 5.4 10 nC ns 2 2 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=15V , Id=1A td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω tf 24 48 12 ns ns ns 2 2 2 寄生二极管反向恢复时间 trr If=3A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 50 80 ns ������ ������������ 单 N 沟道 MOSFET ������������ ELM34414AA-N ������� ■标准特性和热特性曲线 Output Characteristics Transfer Characteristics 50 40 45 35 ID - Drain Current(A) ID - Drain Current(A) 35 VGS=10thru 4V 40 30 25 20 15 10 3V 5 0 0 1 2 3 4 30 25 20 15 TC=125° C 10 25° C 5 0 0.0 5 VDS- Drain-to-Source Voltage(V) 0.5 1.0 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 VGS- Gate-to-Source Voltage(V) On-Resistance vs. Drain Current 0.015 2500 0.012 2000 C- Capacitance(pF) rDS(on) - On-Resistance(�) 1.5 -55° C VGS=4.5V 0.009 VGS=10V 0.006 0.003 Capacitance f = 1 MHz VGS=0V Ciss 1500 1000 Coss 500 Crss 0.000 0 10 20 30 ID - Drain Current(A) 40 0 50 Gate Charge rDS(on) - On-Resistance(�) (Normalized) VGS- Gate-to-Source Voltage(V) 6 4 2 0 4 8 12 12 18 24 30 On-Resistance vs. Junction Temperature 2.00 VDS=10V ID=15A 0 6 VDS- Drain-to-Source Voltage(V) 10 8 0 16 20 1.75 1.50 1.25 1.00 0.75 0.50 -50 24 Qg - Total Gate Charge(nC) VGS=10V ID=15A -25 0 25 50 75 100 TJ- Junction Temperature(° C) � � 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 125 150 ������ ������������ 单N 沟道 MOSFET ������������ ELM34414AA-N On-Resistance vs.Gate-to-Source Voltage Source-Drain Diode Forward Voltage 0.040 rDS(ON) - On-Resistance(�) IS - Source Current(A) 60 TJ=150° C 10 TJ=25° C 0.032 0.024 0.016 0.000 1 0.00 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VSD- Source-to-Drain Voltage(V) ID=15A 0.008 1.2 0 4 Threshold Voltage 8 10 Single Pulse Power 50 ID = 250�A 0.2 40 Power(W) 0.0 -0.2 -0.4 30 TA=25° C 20 10 -0.6 -0.8 -50 -25 0 25 50 75 100 TJ- Temperature(° C) 0 10-2 125 150 10-1 Safe Operating Area, Junction-to Ambient 100�s,10�s Limited by rDS(on) 10 1ms 1 10ms 100ms 0.1 1s TA=25°C Single Pulse 10s dc,100s 0.01 0.1 1 1 Time(sec) 100 ID - Drain Current(A) 6 VGS - Gate-to-Source Voltage(V) 0.4 VGS(th) Variance(V) 2 10 100 VDS- Drain-to-Source Voltage(V) � 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 10 ������ ������������ 单 N 沟道 MOSFET ������������ ELM34414AA-N Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient Normalized Effective Transient Thermal Impedance 2 1 Duty Cycle = 0.5 0.2 Notes: 0.1 0.1 PDM 0.05 t1 0.02 10 -4 10 t1 1. Duty Cycle, D�= t2 2. R� J�A(t) = 50�° CW 3. TJM - TA =�PDM�*�R� �JA(t) 4. Surface Mounted Single Pulse 0.01 t2 -3 10 -2 10 -1 1 Square Wave Pulse Duration (sec) �5 -�5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 10 100 600