单 N 沟道 MOSFET ELM33410CA-S ■概要 ■特点 ELM33410CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=5A ·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 50mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) < 80mΩ (Vgs=1.8V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 ±12 V 5 4 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ 容许功耗 30 1.25 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A A 3 W 0.80 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 记号 Rθja ■引脚配置图 典型值 75 最大值 100 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 单位 ℃/W 2 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 SOURCE 3 DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 备注 单 N 沟道 MOSFET ELM33410CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=16V,Vgs=0V, Ta=70℃ 10 Vds=0V, Vgs=±12V nA 1.20 V A 1 mΩ 1 1.3 S V 1 1 Is 1.3 A Ism 30 A 漏极 - 源极导通电阻 Vgs=4.5V, Id=5A Rds(on) Vgs=2.5V, Id=4A Vgs=1.8V, Id=2A 二极管脉冲电流 动态特性 输入电容 μA ±100 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 寄生二极管最大连续电流 V Vds=16V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 二极管正向压降 20 Gfs Vsd 0.45 30 Vds=5V, Id=5A If=Is, Vgs=0V 0.75 27 38 57 32 50 80 12 Ciss 740 pF 输出电容 反馈电容 开关特性 Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss 90 66 pF pF 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=5A 8.0 3.6 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=4.5V, Vds=10V , Id=1A 2.0 8 6 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) Rgen=0.2Ω tf 19 7 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 12.0 3 nC nC 2 2 14 12 nC ns ns 2 2 2 45 23 ns ns 2 2 P3202CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM SOT-23 Lead-Free 单 N 沟道 MOSFET ELM33410CA-S ■标准特性和热特性曲线 2.5V 3.0V 16 2 12 2.0V 8 4 1.5V 0 0.5 0 1 1.5 2 2.5 1.6 2.5V 1.4 DS(ON) RDS(ON), On-resistance(� ) 50 75 100 125 1 1.5 2 TA= 25° C 0.02 Is, Reverse Drain Current (A) ID, Drain Current(A) 125°C 2 0.5 TA= 125° C 0.04 0 2 3 4 5 Body Diode Forword Voltage Variation with Source Current and Temperature. 8 0 ID=2.5A 0.06 0 25°C 12 20 VGS, Gate to Source Voltage(V) TA= -55°C 16 16 0.08 150 Transfer Characteristics. VDS= 5V 12 0.1 TJ, Junction Temperature(°C) 20 8 On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 0.8 25 4 ID, Drain Current(A) 1 0 4.5V 0 1.2 -25 4.0V 0.8 ID= 5A VGS= 4.5V 0.6 -50 3.5V 1 3 On-Resistance Variation with Temperature. 1.4 3.0V 1.2 VGS, Drain to Source Voltage(V) 1.6 VGS= 2.0V 1.8 DS(ON) ID, Drain current(A) VGS= 4.5V R , Normalized Drain-source on-resistance 20 R , Normalized Drain-source on-resistance On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. On-Region Characteristics. 2.5 VGS, Gate to Source Voltage(V) 100 TA= 125° C 1 -55°C 25°C 0.1 0.01 0.001 0.0001 0 3 VGS= 0V 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1 VSD, Body Diode Forward Voltage(V) 3 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 Mar-22-2006 P3202CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM SOT-23 单 N 沟道 MOSFET Lead-Free ELM33410CA-S Capacitance Characteristics 1100 5 VDS= 5V ID = 5A f =1MHz VGS=0 V 900 4 Capacitance(pF) VGS, Gate-Saurce Voltage(V) Gate-Charge Characteristics 10V 3 2 1 Ciss 700 500 300 Coss Crss 100 0 0 2 4 6 8 0 10 Qg Gate Charge (nC) 0 12 16 20 VDS, Drain to Source Voltage(V) Maxmum Safe Operating Area. Single Puise Maximum Power Dissipation. 100 20 RDS(ON) LIMIT 1ms 10 10ms 100ms 1 10s DC 1s VGS =4.5V SINGLE PULSE R� JA=100°C/W TA=25°C 0.1 0.01 0.1 SINGLE PULSE R� JA=100°C/W TA=25° C 15 Power (W) ID,Drain Current(A) 8 4 12 8 4 10 1 100 VGS,Drain-Source Voltage(V) 0 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Single Pulse Time(SEC) 1 0.5 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.2 R¿ JA(t) = r(t) * R¿ R¿ JA=100° C/W 0.1 0.05 0.02 0.01 t1 Single Pulse t2 0.005 TJ-TA=P*R¿ JA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 0.002 0.001 0.0001 �� P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance Transisent Thermal Response Curve. 0.001 0.01 0.1 Time(SEC) 1 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 10 100 300