elm2h401sa

单 P 沟道 MOSFET
ELM2H401SA-S
■概要
■特点
ELM2H401SA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电
·Vds=-20V
压，低导通电阻的大电流 MOSFET。封装採用的是
·Id=-0.4A
·Rds(on) < 650mΩ (Vgs=-4.5V)
SOT-723 包装。
·Rds(on) < 900mΩ (Vgs=-2.5V)
·Rds(on) < 1400mΩ (Vgs=-1.8V)
■应用
·Rds(on) < 2300mΩ (Vgs=-1.5V)
· 笔记本电脑
· 开关负荷电路
· 保护电池电路
· 移动终端设备
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流（定常）
漏极电流（脉冲）
容许功耗
±8
-400
Id
Ta=100℃
Tc=25℃
结合部温度及保存温度范围
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-20
V
V
mA
Idm
-250
1.6
Pd
450
mW
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
A
1
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
280
℃/W
备注
■电路图
D
SOT-723(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE
SOURCE
3
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM2H401SA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-16V，Vgs=0V，Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±8V
±20
μA
-0.7
500
-1.0
650
V
700
1100
1700
900
1400
2300
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-4.5V, Id=-0.3A
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
-0.3
Vgs=-2.5V, Id=-0.2A
Vgs=-1.8V, Id=-0.1A
Vgs=-1.5V, Id=-0.1A
寄生二极管最大连续电流
二极管脉冲电流
Is
Ism
Vgs=Vds=0V
二极管正向压降
Vsd
Is=-0.2A, Vgs=0V
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
栅极 - 漏极电荷
V
Vds=-20V，Vgs=0V，Ta=25℃
栅极阈值电压
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
-20
μA
mΩ
-0.4
-0.8
A
A
-1
V
40.0
15.0
78.0
30.0
pF
pF
Crss
6.5
13.0
pF
Qg
1.00
2.00
nC
2，3
0.28
0.18
0.50
0.40
nC
nC
2，3
2，3
8.0
5.2
30.0
16.0
10.0
60.0
ns
ns
ns
2，3
2，3
2，3
18.0
36.0
ns
2，3
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
td(on)
tr
td(off)
关闭下降时间
tf
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=0.2A
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-0.2A, Rgen=10Ω
备注：
1．脉冲宽度受最大结合部温度的限制；
2．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%；
3. 独立于工作温度。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM2H401SA-S
PM2119EUX
Normalized On Resistance (m)
-ID , Continuous Drain Current (A)
■标准特性和热特性曲线
20V P-Channel MOSFETs
TJ , Junction Temperature (℃)
TC , Case Temperature (℃)
Fig.2
Continuous Drain Current vs. TC
Qg , Gate Charge (nC)
TJ , Junction Temperature ((℃)
Normalized Vth vs. TJ
Fig.4
Fig.5
Gate Charge Waveform
-ID , Continuous Drain Current (A)
Normalized Thermal Response (RΘJA)
Fig.3
Normalized RDSON vs. TJ
-VGS , Gate to Source Voltage (V)
Normalized Gate Threshold Voltage (V)
Fig.1
-V
VDS , Drain to Source Voltage (V)
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Transient Response
Fig.6
Maximum Safe Operation Area
Powemate Electronics Corp
Ver.1.00
4-3
3
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单 P 沟道 MOSFET
ELM2H401SA-S
PM2119EUX
20V P-Channel MOSFETs
-VDS
90%
10%
-VGS
Td(on)
Tr
Ton
Fig.7
Td(off)
Tf
Toff
Switching Time Waveform
Fig.8
Gate Charge Waveform
Powemate Electronics Corp
Ver.1.00
4
4-4
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