s10783 s10784 kpin1079j

Si PINフォトダイオード
S10783
S10784
プラスチックパッケージの高速受光素子
発光波長660 nm、780 nmのレーザダイオード用に開発した高速APC (auto power control)用受光素子です。S10783は表面実
装型、S10784はφ3 mmレンズ付プラスチックパッケージです。
特長
用途
高速応答
300 MHz typ. (λ=650 nm, VR=2.5 V)
250 MHz typ. (λ=780 nm, VR=2.5 V)
高感度
S10783: 0.46 A/W typ. (λ=650 nm)
S10784: 0.45 A/W typ. (λ=650 nm)
光ディスク装置のレーザダイオードモニタ (高速APC)
赤色レーザダイオード用センサ
構成
項目
受光面サイズ
有効受光面積
パッケージ
記号
-
S10783
φ0.8
0.5
表面実装型プラスチック
S10784
φ3.0
7.0
レンズ付プラスチック
単位
mm
mm2
-
記号
VR max
P
Topr
Tstg
S10783
S10784
単位
V
mW
°C
°C
絶対最大定格
項目
逆電圧
許容損失
動作温度
保存温度
20
50
-25 ~ +85
-40 ~ +100
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
本製品は鉛フリーはんだ付けに対応していません。表面実装型のリフローはんだ付け条件については、当社営業までお問い合わせ
ください。
浜松ホトニクス株式会社
1
S10783, S10784
Si PINフォトダイオード
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
記号
感度波長範囲
最大感度波長
λ
λp
受光感度
S
暗電流
暗電流の温度係数
ID
TCID
fc
遮断周波数
Ct
NEP
端子間容量
雑音等価電力
条件
Min.
0.41
0.47
150
125
-
λ=660 nm
λ=780 nm
VR=2.5 V
VR=2.5 V λ=660 nm
RL=50 Ω λ=780 nm
VR=2.5 V, f=1 MHz
VR=2.5 V
S10783
Typ.
Max.
330~1040
760
0.46
0.52
0.01
1.0
1.15
300
250
4.5
9
3.5 × 10-15
分光感度特性
S10784
Typ.
Max.
340~1040
760
0.45
0.51
0.01
1.0
1.15
300
250
4.5
9
3.5 × 10-15
Min.
0.40
0.46
150
125
-
単位
nm
nm
A/W
nA
倍/°C
MHz
pF
W/Hz1/2
直線性
(Typ. Ta=25 °C)
0.6
(Typ. Ta=25 °C, VR=0 V, 2856 K)
1 mA
S10783
100 μA
0.5
ౣ၁ഩၠ
਋࢕ۜഽ (A/W)
10 μA
0.4
S10784
0.3
1 μA
S10784
100 nA
10 nA
0.2
S10783
1 nA
0.1
100 pA
0
200
400
600
800
1000
1200
෨ಿ (nm)
10 pA
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
ચഽ (lx)
KPINB0355JA
KPINB0396JA
2
S10783, S10784
Si PINフォトダイオード
暗電流-逆電圧
感度の温度特性
(Typ. Ta=25 °C)
100 pA
ճഩၠ
+1.0
਋࢕ۜഽ͈‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
1 nA
10 pA
1 pA
100 fA
0.01
0.1
1
10
+0.5
0
-0.5
400
100
600
‫ݙ‬ഩգ (V)
800
1000
෨ಿ (nm)
KPINB0357JA
KPINB0356JA
端子間容量-逆電圧
暗電流ー周囲温度
(Typ. VR=2.5 V)
10-7
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
10 pF
10-8
-9
10
-10
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
ճഩၠ (A)
10
10-11
-12
10
10-13
10-14
10
-15
10-16
-20 -10
0
10
20
30
40
ਔս‫أ‬ഽ (°C)
50
60
70
80
KPINB0363JA
1 pF
0.1
1
10
‫ݙ‬ഩգ (V)
100
KPINB0358JA
3
S10783, S10784
Si PINフォトダイオード
指向特性
S10783
30°
20°
10°
0°
S10784
10°
(Typ. Ta=25 °C)
30°
20°
20°
100 %
0°
(Typ. Ta=25 °C)
10°
20°
100 %
30°
30°
80 %
80 %
40°
10°
40°
40°
40°
60 %
60 %
50°
50°
50°
50°
40 %
60°
40 %
60°
60°
60°
70°
70°
20 %
70°
70°
20 %
80°
80°
80°
80°
90°
90°
90°
90°
௖చۜഽ
௖చۜഽ
KPINB0362JA
KPINB0359JA
周波数特性
λ=660 nm
(Typ. Ta=25 °C, VR=2.5 V, RL=50 Ω)
0
-3
-5
-10
100 kHz
+5
௖చ੄ႁ (dB)
௖చ੄ႁ (dB)
+5
λ=780 nm
1 MHz
10 MHz
100 MHz
1 GHz
ਔ෨ତ
(Typ. Ta=25 °C, VR=2.5 V, RL=50 Ω)
0
-3
-5
-10
100 kHz
1 MHz
10 MHz
100 MHz
1 GHz
ਔ෨ତ
KPINB0360JA
KPINB0361JA
4
S10783, S10784
Si PINフォトダイオード
外形寸法図 (単位: mm)
S10783
1.5 ± 0.4
4.8*
5°
4.0*
10°
5.0 ± 0.2
(Ψςͬ‫͚܄‬଱༹)
2.54
1.5 ± 0.4
4.7*
4.1 ± 0.2
(Ψςͬ‫͚܄‬଱༹)
0.6
਋࢕໐ ( 0.8)
0.4
0.8
1.8
7.0 ± 0.3
0.7 ± 0.3
0.7 ± 0.3
10°
NC
΃ΕȜΡ
ͺΦȜΡ
΃ΕȜΡ
0.25
਋࢕࿂
0.1 ± 0.1
5°
ঐা̧̈́࢖ओ: ±0.1
ΙΛίպ౾ୈഽ
* ໐ͬ‫ܖ‬੔̱͂̀
X, YɅ ±0.2
θɅ ±2°
ςȜΡນ࿂ੜၑĻġ߆ιΛ΅
इ༫ࠁఠ: ΑΞͻΛ· (50ࡢȟུ)
KPINA0105JB
S10784
6°
8°
4.0 ± 0.2
4.2 max.
(Ψςͬ‫͚܄‬଱༹)
τϋΒಎ૤
0.7
τϋΒ 3.0
(0.8)
0.45
2.54
6°
4.8*
.5
R1
8°
1.2
9.2 ± 1.0
(1.3)
2.9
5.2 max.
(Ψςͬ‫͚܄‬଱༹)
1.9
3.8*
2.2 ± 0.15
0.45
ঐা̧̈́࢖ओ: ±0.1
ΙΛίպ౾ୈഽ
* ֣ͬ‫ܖ‬੔̱͂̀
X, Y Ʌ ±0.2
θ Ʌ ±2 °
ςȜΡນ࿂ੜၑĻġ߆ιΛ΅
इ༫ࠁఠ: ఝഩཡগన (500ࡢȟన)
KPINA0032JC
5
Si PINフォトダイオード
S10783, S10784
本資料の記載内容は、平成25年5月現在のものです。
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ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ
ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ
ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ
ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ
ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı
ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı
ࡥఘ‫ުא‬ଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌ൐ߊঌ࿤಴IJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ
Cat. No. KPIN1079J04 May 2013 DN
6