s4349 kmpd1007j

Siフォトダイオード
S4349
4分割Si PINフォトダイオード
S4349は紫外から近赤外までに感度をもつ、4分割Si PINフォトダイオードです。素子が2次元に4分割されているため、位置検
出、レーザ光軸合わせなどに適しています。
特長
用途
2次元分割の4素子型
低クロストーク: 2% max.
レーザの光軸合わせ
位置検出
感度波長範囲: 190~1000 nm
高速応答: fc=20 MHz
TO-5メタルパッケージ
構成
項目
窓材
受光面サイズ
素子間ギャップ
記号
A
-
仕様
石英ガラス
†3.0/4素子
100
単位
mm
μm
絶対最大定格
項目
記号
定格値
単位
逆電圧
VR max
20
V
動作温度
°C
Topr
-20 ~ +60
保存温度
°C
Tstg
-55 ~ +80
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C, 1素子当たり)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度
暗電流
暗電流の温度係数
遮断周波数
端子間容量
雑音等価電力
クロストーク
記号
λ
λp
S
ID
TCID
fc
Ct
NEP
CL
条件
λ=λp
VR=5 V
VR=5 V, RL=50 Ω
λ=780 nm, -3 dB
VR=5 V, f=1 MHz
VR=5 V, λ=λp
VR=5 V, λ=780 nm
Typ.
190 ~ 1000
720
0.45
0.01
1.12
Max.
0.2
-
単位
nm
nm
A/W
nA
倍/°C
20
-
MHz
25
×
4.0 10-15
-
2
pF
W/Hz1/2
%
浜松ホトニクス株式会社
1
S4349
Siフォトダイオード
分光感度特性
感度の温度特性
(Typ. Ta=25 °C)
0.8
(Typ.)
+1.5
0.7
+1.0
‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
਋࢕ۜഽ (A/W)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
+0.5
0
0.1
0
190
400
600
800
1000
-0.5
190
400
600
෨ಿ (nm)
800
1000
෨ಿ (nm)
KMPDB0126JA
KMPDB0127JA
暗電流-逆電圧
端子間容量-逆電圧
(Typ. Ta=25 °C)
1 nA
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
1 nF
100 pA
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
ճഩၠ
100 pF
10 pA
1 pA
10 pF
1 pF
100 fA
10 fA
0.01
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
100 fF
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
KMPDB0128JA
KMPDB0129JA
2
S4349
Siフォトダイオード
外形寸法図 (単位: mm)
9.2 ± 0.2
8.1 ± 0.2
B
C
ɠ 3.0
D
0.1
4.1 ± 0.2
਋࢕໐
਋࢕໐‫ڐ‬ఱ଎
ϕ0.45
ςȜΡ
13.5
2.95
਋࢕࿂
A
0.1
වৣௗ
5.9 ± 0.1
ϕ5.08 ± 0.2
ͺΦȜΡ D
ͺΦȜΡ A
΃ΕȜΡ (ΉȜΑ)
ͺΦȜΡ B
ͺΦȜΡ C
΃ΕȜΡ (ΉȜΑ)
NC
KMPDA0114JA
紫外線照射時の注意
・紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあります。この現象は、照射量・照射
強度・使用時間・使用環境によって異なり、製品種によっても違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認を
することを推奨します。
3
Siフォトダイオード
S4349
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品/使用上の注意
技術情報
・ Siフォトダイオード/技術資料
・ Siフォトダイオード/用語の説明
・ Siフォトダイオード/信頼性
・ Siフォトダイオード/応用回路例
本資料の記載内容は、平成27年10月現在のものです。
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Cat. No. KMPD1007J03 Oct. 2015 DN
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