s12271 kpin1085j

Si PINフォトダイオード
S12271
紫外~近赤外域用、大面積高速PINフォトダイオード
S12271は、φ4.1 mmという広い受光面サイズをもち、高速応答を実現したSi PINフォトダイオードです。受光窓に石英ガ
ラスを使用しているため、紫外域まで高い感度をもち、光パワーメータなどの用途に適しています。
特長
用途
石英ガラス窓
光パワーメータ
高紫外感度
放射線検出
大受光面サイズ: φ4.1 mm
高速応答: 60 MHz (VR=100 V)
構成
項目
パッケージ
受光面サイズ
有効受光面積
仕様
TO-8
φ4.1
13.2
単位
mm
mm
mm2
絶対最大定格
項目
逆電圧
許容損失
動作温度
保存温度
記号
VR max
P
Topr
Tstg
定格値
120
50
-20 ~ +60
-55 ~ +80
単位
V
mW
°C
°C
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度
暗電流
暗電流の温度係数
端子間容量
遮断周波数
雑音等価電力
記号
λ
λp
S
ID
TCID
Ct
fc
NEP
条件
λ=λp
λ=200 nm
VR=100 V
VR=100 V, f=1 MHz
VR=100 V, RL=50 Ω
-3 dB
λ=λp, VR=100 V
Min.
0.4
0.08
-
Typ.
190 ~ 1100
960
0.5
0.10
0.1
1.15
10
Max.
30
20
単位
nm
nm
A/W
A/W
nA
倍 /℃
pF
-
60
-
MHz
-
1.5 × 10-14
-
W/Hz1/2
浜松ホトニクス株式会社
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S12271
Si PINフォトダイオード
分光感度特性
感度の温度特性
(Typ. Ta=25 °C)
0.6
QE=100%
+1.5
‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
0.5
਋࢕ۜഽ (A/W)
(Typ.)
+2.0
0.4
0.3
0.2
+1.0
+0.5
0
-0.5
0.1
-1.0
190 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
0
190 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
෨ಿ (nm)
෨ಿ (nm)
KPINB0386JA
KPINB0387JA
暗電流-逆電圧
端子間容量-逆電圧
(Typ. Ta=25 °C)
10 nA
1 nF
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
ճഩၠ
1 nA
100 pA
100 pF
10 pF
10pA
1 pA
0.01
(Typ. Ta=25 °C)
10 nF
0.1
1
10
100
1 pF
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
‫ݙ‬ഩգġ(V)
KPINB0388JA
KPINB0389JA
2
Si PINフォトダイオード
S12271
外形寸法図 (単位: mm)
13.9 ± 0.2
X
12.35 ± 0.1
10.5 ± 0.1
Y
ȁ0.45
ςȜΡ
7.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
਋࢕࿂
(15)
୞‫΄ם‬ρΑ
0.5 max.
2.8 ± 0.2
਋࢕໐
4.1
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
1.4
1.0 max.
ΉȜΑ
਋࢕໐ಎ૤̥ͣ΅λΛί
ಎ૤͈́͘଱༹
-0.4ɅXɅ+0.4
-0.4ɅYɅ+0.4
KPINA0114JB
紫外線照射時の注意
・紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあります。この現象は、照射量・照射
強度・使用時間・使用環境によって異なり、製品種によっても違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認を
することを推奨します。
・紫外線の照射により、製品の構成材料の接着に使用されている樹脂からガスが発生して特性が劣化する場合があります。このためア
パーチャなどを用いて紫外線を樹脂へ直接照射することを避け、受光部の内側にだけ紫外線を照射することを推奨します。
3
Si PINフォトダイオード
S12271
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品/使用上の注意
技術情報
・ Siフォトダイオード/技術資料
・ Siフォトダイオード/用語の説明
・ Siフォトダイオード/信頼性
・ Siフォトダイオード/応用回路例
本資料の記載内容は、平成27年10月現在のものです。
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Cat. No. KPIN1085J03 Oct. 2015 DN
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