s11155-2048-02 kmpd1155j

CCDリニアイメージセンサ
S11155-2048-02 S11156-2048-02
電子シャッタ機能を内蔵した裏面入射型CCD
S11155-2048-02、S11156-2048-02は、分光器用に電子シャッタ機能を内蔵した裏面入射型CCDリニアイメージセンサです。
レジスティブゲート構造の採用により、高速転送が可能です。分光器などで求められる縦長の画素サイズにおいても、読み残し
の少ない読み出しを行うことができます。本製品は、従来品 (S11155-2048-01, S11156-2048-01)よりも読み残しが約1桁減少し
ています。なお本製品は、水平シフトレジスタを覆う不感部分における長波長光の透過を従来品よりも低減しました。
特長
用途
電子シャッタ内蔵
分光器
最小蓄積時間: 2 μs
各種イメージ読み取り
紫外域から高感度 (感度波長範囲: 200～1100 nm)
読み出し速度: 10 MHz max.
読み残し: 0.1% typ.
構成
S11155-2048-02
14 × 500 μm
項目
画素サイズ (H × V)
画素数 (H × V)
有効画素数 (H × V)
イメージサイズ (H × V)
水平クロック
出力回路
パッケージ
窓材*1
冷却
S11156-2048-02
14 × 1000 μm
2128 × 1
2048 × 1
28.672 × 0.500 mm
28.672 × 1.000 mm
2相
2段MOSFETソースフォロア
24ピン セラミックDIP (外形寸法図を参照)
石英ガラス*2
非冷却
*1: 仮付け窓タイプ (例: S11155-2048N-02)も対応が可能です。
*2: 樹脂封止
レジスティブゲート構造
通常のCCDの場合、1画素内に複数の電極
があり、異なったクロックパルスを印加する
ことで信号電荷を転送します ( 図1) 。レジ
スティブゲート構造の場合、受光部に単一
の高抵抗電極があり、その両端に異なる電
圧を印加してポテンシャルスロープを形成
することで信号電荷を転送します (図2)。
CCDエリアイメージセンサをラインビニン
グし1次元のセンサとして使用する場合に
比べると、1次元型CCDの受光部において
レジスティブゲート構造を採用することに
よって、高速転送が可能になり、画素高さ
が大きい場合でも読み残しの少ない読み
出しを行うことができます。
[図1] 通常の2相CCDの概念図と電位 [図2] レジスティブゲート構造の概念図と電位
P1V
P2V
P1V
REGL
P2V
REGH STG
TG
τΐΑΞͻήΊȜΠ
N-
N
N-
N-
N
N
N-
N
P+
N-
N
N
P
P
εΞϋΏλσ
ΑυȜί
KMPDC0320JA
浜松ホトニクス株式会社
KMPDC0321JB
1
CCDリニアイメージセンサ
S11155-2048-02, S11156-2048-02
絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
動作温度*3 *4
保存温度
出力トランジスタドレイン電圧
リセットドレイン電圧
アンプ出力帰還電圧
オールリセットドレイン電圧
水平入力ソース電圧
オールリセットゲート電圧
ストレージゲート電圧
水平入力ゲート電圧
サミングゲート電圧
出力ゲート電圧
リセッ ト ゲ ー ト 電 圧
トランスファーゲート電圧
記号
Topr
Tstg
VOD
VRD
Vret
VARD
VISH
VARG
VSTG
VIG1H, VIG2H
VSG
VOG
VRG
VTG
VREGH
VREGL
VP1H, VP2H
Tsol
High
Low
水平シフトレジスタクロック電圧
はんだ付け条件*5
レジスティブゲート電圧
Min.
-50
-50
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-12
-12
-12
-12
-12
-12
-12
Typ.
-
Max.
+60
+70
+25
+18
+18
+18
+18
+15
+15
+15
+15
+15
+15
+15
単位
°C
°C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
-12
-
+15
V
-12
+15
260 °C, 5秒以内, リード根元より2 mm以上離す
V
-
*3: パッケージ温度
*4: 高速動作時にはセンサの温度が上昇する可能性があります。必要に応じて放熱対策を行うことを推奨します。詳細は技術資料 (電
子シャッタ機能付レジスティブゲート型CCDリニアイメージセンサ)を参照してください。
*5: はんだごてを使用してください。
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
動作条件 (Ta=25 °C)
項目
出力トランジスタドレイン電圧
リセットドレイン電圧
オールリセットドレイン電圧
オールリセットゲート電圧
High*6
Low*7
出力ゲート電圧
ストレージゲート電圧
基板電圧
レジスティブゲートHigh電圧
レジスティブゲートLow電圧
High
Low
High
Low
出力アンプ帰還電圧*8
水平入力ソース
テストポイント
水平入力ゲート
High
水平シフトレジスタクロック電圧
Low
High
サミングゲート電圧
Low
High
リセットゲート電圧
Low
High
トランスファーゲート電圧
Low
外部負荷抵抗
記号
VOD
VRD
VARD
VARGH
VARGL
VOG
VSTG
VSS
VREGHH
VREGHL
VREGLH
VREGLL
Vret
VISH
VIG1H, VIG2H
VP1HH, VP2HH
VP1HL, VP2HL
VSGH
VSGL
VRGH
VRGL
VTGH
VTGL
RL
Min.
12
13
13
7
0.5
2.5
2.5
0.5
-10.5
-10.5
-10.5
5
-6
5
-6
7
-6
9.5
-6
2.0
Typ.
15
14
14
8
1
3.5
3.5
0
1
-9.5
VREGHH - 8.0
-9.5
1
VRD
-9.5
6
-5
6
-5
8
-5
10.5
-5
2.2
Max.
18
15
15
9
2
4.5
4.5
1.5
-8.5
2
8
-4
8
-4
9
-4
11.5
-4
2.4
単位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
kΩ
*6: オールリセットオン
*7: オールリセットオフ
*8: 出力アンプ帰還電圧は基板電圧に対して正電圧となりますが、電流はセンサから流れ出す方向に流れます。
2
S11155-2048-02, S11156-2048-02
CCDリニアイメージセンサ
電気的特性 [Ta=25 °C, fc=5 MHz, 動作条件: Typ.値 (P.2), タイミングチャート (P.6, 7)]
項目
出力信号周波数
ラインレート
水平シフトレジスタ容量
オールリセットゲート容量
レジスティブゲート容量
記号
fc
LR
CP1H, CP2H
CARG
S11155-2048-02
S11156-2048-02
サミングゲート容量
リセットゲート容量
トランスファーゲート容量
電荷転送効率*9
DC出力レベル
出力インピーダンス
出力アンプ帰還電流
S11155-2048-02
消費電力
S11156-2048-02
レジスティブゲート抵抗*12
S11155-2048-02
S11156-2048-02
CREG
CSG
CRG
CTG
CTE
Vout
Zo
Iret
PAMP*10
PREG*11
PAMP*10
PREG*11
RREG
Min.
0.99995
9
50
30
0.4
0.7
Typ.
5
2
200
100
1000
2000
10
10
100
0.99999
10
300
0.4
75
100
75
60
0.7
1.1
Max.
10
4
11
160
90
1.4
2.2
単位
MHz
kHz
pF
pF
pF
pF
pF
pF
V
Ω
mA
mW
kΩ
*9: 飽和出力の半分のときに測定したCCDシフトレジスタ1画素当たりの転送効率
*10: オンチップアンプと負荷抵抗を合わせた消費電力
*11: REGでの消費電力
*12: REGH - REGL間の抵抗値
電気的および光学的特性 [Ta=25 °C, fc=5 MHz, 動作条件: Typ.値 (P.2), タイミングチャート (P.6, 7)]
項目
記号
Vsat
Fw
LR
Sv
飽和出力電圧
飽和電荷量*13
直線性誤差*14
CCD変換効率
暗電流*15
暗出力不均一性
Non-MPP動作
MPP動作
Non-MPP動作
MPP動作
DSNU
Nr
DR
λ
λp
PRNU
読み出しノイズ
ダイナミックレンジ*16
不良画素*17
感度波長範囲
最大感度波長
感度不均一性*18 *19
イメージラグ*18 *20
DS
全画素の平均値
全画素の最大値
L
S11155-2048-02
Min.
Typ.
Max.
Fw × Sv
150
200
±3
±10
9
10
11
100
300
10
40
300
30
45
6670
0
200 ～ 1100
600
±3
±10
0.1
1
1
3
S11156-2048-02
Min.
Typ.
Max.
Fw × Sv
150
200
±3
±10
9
10
11
200
600
15
60
300
30
45
6670
0
200 ～ 1100
600
±3
±10
0.1
1
1
3
単位
V
ke%
μV/eke-/pixel/s
%
e-
rms
nm
nm
%
%
*13: 動作電圧 Typ.値
*14: 信号量=1 ke-～150 ke-。飽和電荷量の半分のときに直線性誤差が0％となるように定義。
*15: 暗電流は5～7 °Cの冷却で1/2になります。
*16: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量／読み出しノイズ
*17: DSNU、PRNUのMax.を超えた画素
*18: LED光 (ピーク波長: 660 nm)を用いて飽和出力の半分のときに測定
固定パターンノイズ (peak to peak)
× 100 [%]
信号
*20: 飽和出力の半分となるようにワンショットのパルス光を照射した場合に読み残される信号量の割合。測定時の蓄積時間は、S11155-2048-02
では5 μs、S11156-2048-02では20 μsです。詳細は技術資料 (電子シャッタ機能付レジスティブゲート型CCDリニアイメージセンサ)を参照し
てください。
*19: 感度不均一性 =
3
S11155-2048-02, S11156-2048-02
CCDリニアイメージセンサ
分光感度特性 (窓なし時)*21
(Typ. Ta=25 °C)
100
0.4
਋࢕ۜഽ (A/W)
80
ၾঊ࢘ၚ (%)
(Typ. Ta=25 °C)
0.5
60
40
0.3
0.2
0.1
20
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
෨ಿ (nm)
෨ಿ (nm)
KMPDB0316JA
KMPDB0440JA
*21: 石英ガラスの透過率特性により分光感度は低下します。
窓材の分光透過特性
(Typ. Ta=25 °C)
100
൫ًၚ (%)
80
60
40
20
0
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
෨ಿ (nm)
KMPDB0303JA
4
S11155-2048-02, S11156-2048-02
CCDリニアイメージセンサ
デバイス構造 (外形寸法図において上面からみたCCDチップ概念図)
ခْ࢘ள
Thinning
କ໹
ΏέΠτΐΑΗ
22 19
18
17
16
ခْ࢘ள
23
CCDକ໹ΏέΠτΐΑΗ
D77 D78 D79 D80
21
20
Ȇ
Ȇ
24
7
Ȇ
D1D2 Ȇ
2
τΐΑΞͻήΊȜΠ D65 D66 D67 D68 D69 D70 S1 S2 S3 S4
Ȇ
Ȇ
ȆȆ
S2045
S2046
S2047
S2048
Thinning
Ȇ
Ȇ D63 D64
8
D71 D72 D73 D74 D75 D76
14
ಇୟ໐
13
1
Ȇ
Ȇ D63 D64
5
3
4
6
CCDକ໹ΏέΠτΐΑΗ
9
10
D77 D78 D79 D80
15
11
12
କ໹
ΏέΠτΐΑΗ
ಕ) ࢕වৣ༷̥࢜ͣࡉ̹ાࣣȂକ໹ΏέΠτΐΑΗ͉Si͈࢚̞໐໦ (ະۜ໐໦)́ໞ̞̳̦ͩͦ̀͘Ȃಿ෨ಿ͈࢕͉ະۜ໐໦͈Siͬ൫
ً̱Ȃକ໹ΏέΠτΐΑΉ਋࢕̯ͦͥ‫خ‬ෝ଻̦̜̳ͤ͘ȃຈါͅ؊̲̀৭࢕͈̈́̓చॐ࣐̩̺̯̞ͬ̽̀ȃུ̤̈́ୋ຦͉Ȃକ໹
ΏέΠτΐΑΗͬໞ̠ະۜ໐໦̤̫ͥͅಿ෨ಿ࢕͈൫ًͬਲြ຦ͤ͢͜೩ࡘ̱̱̹͘ȃ
਋࢕໐͈‫ْڎ‬ள́࢕ഩ་̯̹۟ͦ૞࣢ഩ‫͉ك‬Ȃ֚౞਋࢕໐ಎ૤ͬ‫ͅޏ‬ષ‫༷࢜ͅئ‬໦̫̀ഢ௣̯̳ͦ͘ȃ̷̱̀Ȃକ໹τΐΑΗͬ
଼̱ࣣ̯ٚ̀ͦȂͺϋί́උ͙੄̯̳ͦ͘ȃ
KMPDC0543JB
5
S11155-2048-02, S11156-2048-02
CCDリニアイメージセンサ
タイミングチャート
Non-MPP動作
1ρͼϋ੄ႁ‫ۼܢ‬
Tinteg
(ഩঊΏλΛΗ: ‫)ٳ‬
Tpwar
(ഩঊΏλΛΗ: ໾)
ARG
REGH, REGL (REGH=+1 V, REGL=-7.0 V)
Tpwv Tovr
TG
Tpwh, Tpws
1
P1H
2
3..2127
2128
2129
2130...
N*
P2H
SG
Tpwr
RG
OS
D1
D2
D79
D80
D3..D70, S1...S2048, D71..D78
೒ુ͈උ͙੄̱‫ۼܢ‬
ߗඋ͙੄̱‫ۼܢ‬
* ߗඋ͙੄̱‫ۼܢ‬ಎ͉ਫ਼೰͈౤ঊͅ·υΛ·ΩσΑ֣ͬ‫̞̯̺̩̱̀ح‬ȃ
ಇୟশ‫ͅۼ‬؊̲̀Ȃ஠·υΛ·ΩσΑତ Nͬ୭೰̱̩̺̯̞̀ȃ
KMPDC05
KMPDC0541JB
ARG
TG
P1H, P2H*22
SG
RG
TG - P1H
蓄積時間
項目
パルス幅
上昇／下降時間
パルス幅
上昇／下降時間
パルス幅
上昇／下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇／下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇／下降時間
オーバーラップ時間
S11155-2048-02
S11156-2048-02
記号
Tpwar
Tprar, Tpfar
Tpwv
Tprv, Tpfv
Tpwh
Tprh, Tpfh
Tpws
Tprs, Tpfs
Tpwr
Tprr, Tpfr
Tovr
Tinteg
Min.
1
200
2
20
50
10
40
50
10
40
5
5
1
2
2
Typ.
100
50
100
50
15
2
5
20
Max.
60
60
-
単位
μs
ns
μs
ns
ns
ns
%
ns
ns
%
ns
ns
μs
μs
*22: 最大パルス振幅の50%のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。
6
S11155-2048-02, S11156-2048-02
CCDリニアイメージセンサ
MPP動作
1ρͼϋ੄ႁ‫ۼܢ‬
Tinteg
(ഩঊΏλΛΗ: ‫)ٳ‬
Tpwar
(ഩঊΏλΛΗ: ໾)
ARG
(REGH=+1 V, REGL=-7.0 V)
Tpwreg
(REGH, REGL=-9.5 V)
REGH, REGL
Tpwv Tovr
Tregtr
TG
Tpwh, Tpws
1
P1H
2
3..2127
2128
2129
2130...
N*
P2H
SG
Tpwr
RG
OS
D2
D79
D80
D1
D3..D70, S1...S2048, D71..D78
೒ુ͈උ͙੄̱‫ۼܢ‬
ߗඋ͙੄̱‫ۼܢ‬
* ߗඋ͙੄̱‫ۼܢ‬ಎ͉ਫ਼೰͈౤ঊͅ·υΛ·ΩσΑ֣ͬ‫̞̯̺̩̱̀ح‬ȃ
ಇୟশ‫ͅۼ‬؊̲̀Ȃ஠·υΛ·ΩσΑତ Nͬ୭೰̱̩̺̯̞̀ȃ
KMPDC0542JB
ARG
REGH, REGL
TG
P1H, P2H*24
SG
RG
TG - P1H
蓄積時間
項目
記号
パルス幅
Tpwar
上昇／下降時間
Tprar, Tpfar
パルス幅
Tpwreg
上昇／下降時間
Tprreg, Tpfreg
S11155-2048-02
転送時間
Tregtr
S11156-2048-02
パルス幅
Tpwv
上昇／下降時間
Tprv, Tpfv
パルス幅
Tpwh
上昇／下降時間
Tprh, Tpfh
デューティ比
パルス幅
Tpws
上昇／下降時間
Tprs, Tpfs
デューティ比
パルス幅
Tpwr
上昇／下降時間
Tprr, Tpfr
オーバーラップ時間
Tovr
S11155-2048-02
Tinteg
S11156-2048-02
Min.
*23
200
100
2
2
2
20
50
10
40
50
10
40
5
5
1
2
2
Typ.
Tinteg - Tregtr
5
20
100
50
100
50
15
2
5
20
Max.
60
60
-
単位
μs
ns
μs
ns
μs
μs
ns
ns
ns
%
ns
ns
%
ns
ns
μs
μs
*23: TpwarのMin.値は、通常の読み出し期間です。
*24: 最大パルス振幅の50%のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。
7
S11155-2048-02, S11156-2048-02
CCDリニアイメージセンサ
外形寸法図 (単位: mm)
3.3 ± 0.35
਋࢕໐ 28.672
߄ιΛ΅, Alloy 42
0.6 ± 0.05*
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
27.94 ± 0.3
+0.05
12
1
0.25-0.03
10.03 ± 0.3
A
10.41 ± 0.25
13
24
਋࢕࿂
1.47
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
S11155-2048-02: A=0.500
S11156-2048-02: A=1.000
0.46 ± 0.05
2.54 ± 0.13
1.27 ± 0.2
1.83 ± 0.17
3.0 ± 0.5
1.27 ± 0.25
38.10 ± 0.4
* ΄ρΑ͈࢚̯ (ߠ୬ၚʠ1.5)
ৗၾ: 3.8 g typ.
KMP
KMPDA0320JA
ピン接続
ピンNo.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20*25
21*25
22
23
24
記号
OS
OD
OG
SG
Vret
RD
REGL
REGH
P2H
P1H
IG2H
IG1H
ARG
ARD
ISH
SS
RD
STG
STG
TG
RG
機能
出力トランジスタソース
出力トランジスタドレイン
出力ゲート
サミングゲート
アンプ出力返還
リセットドレイン
レジスティブゲート (Low)
レジスティブゲート (High)
CCD水平レジスタ クロック-2
CCD水平レジスタ クロック-1
テストポイント (水平入力ゲート-2)
テストポイント (水平入力ゲート-1)
オールリセットゲート
オールリセットドレイン
テストポイント (水平入力ソース)
備考 (標準動作)
RL=2.2 kΩ
+15 V
+3.5 V
P2Hと同タイミング
+1 V
+14 V
-7 V (Non-MPP動作)
+1 V (Non-MPP動作)
+6 V/-5 V
+6 V/-5 V
-9.5 V
-9.5 V
+8 V/+1 V
+14 V
RDに接続
基板
リセットドレイン
GND
+14 V
ストレージゲート
ストレージゲート
+3.5 V
+3.5 V
トランスファーゲート
リセットゲート
+10.5 V/-5 V
+8 V/-5 V
*25: 20ピンと21ピンは、パッケージ内で短絡されています。
8
S11155-2048-02, S11156-2048-02
CCDリニアイメージセンサ
૞࣢
Ņńτασ
ĩςΓΛΠτασĪ
ςΓΛΠ
έͻȜΡΑσȜ
OS出力波形例 (fc=5 MHz, RL=2.2 kΩ, VOD=+15 V)
૞࣢τασ
高速信号処理回路例 (S11155/S11156-2048-02とアナログフロントエンドICを使用)
+3.3 V
+5 V
FPGAͅ୪௽
10
10
10
0.1 µF
+VOD
10 µF
0.1 µF
0.1 µF
0.1 µF
10 µF 0.1 µF
0.1 µF
0.1 µF
1
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
RG
TG
NC
STG
STG
NC
RD
SS
NC
ISH
ARD
ARG
OS
OD
OG
SG
Vret
RD
REGL
REGH
P2H
P1H
IG2H
IG1H
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0.1 µF
0.1 µF
0.1 µF
0.1 µF
2.2 k
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
SDATA
SCLK
SLOAD
AVDD
AVSS
CAPB
CAPT
VINB
CML
VING
OFFSET
VINR
AVSS
AVDD
AD9826KRS
D0 (LSB)
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7 (MSB)
DR VSS
DR VDD
OEB
ADCCLK
CDSCLK2
CDSCLK1
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
10
10
10
10
10
10
10
10
330
330
330
330
FPGAͅ୪௽
0.1
330
S11155/S11156-2048-02
KMPDC0561JA
9
CCDリニアイメージセンサ
S11155-2048-02, S11156-2048-02
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ イメージセンサ／使用上の注意
技術情報
・ 電子シャッタ機能付レジスティブゲート型CCDリニアイメージセンサ／技術資料
CCDリニアイメージセンサ用駆動回路 C11165-02 (別売)
C11165-02はS11155-2048-02、S11156-2048-02用の駆動回路です。CCDリニアイメージセンサと組み合わせて分光器などに使用できます。
特長
16ビットA/D変換器内蔵
PCとのインターフェース: USB 2.0
DC+5 V駆動
本資料の記載内容は、平成27年12月現在のものです。
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Cat. No. KMPD1155J02 Dec. 2015 DN
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