赤外高感度 CCDエリアイメージセンサ S11500-1007, S11501-1007S 近赤外域で高感度: QE=40% (λ=1000 nm)、 裏面入射型 S11500-1007、S11501-1007Sは、800 nm以上の近赤外域の感度を向上させた計測用FFT-CCDです。当社独自のレーザ加工技術に よってCCD裏面にMEMS構造を形成することで、従来品 (S7030/S7031シリーズ)よりも大幅な高感度化を実現しています。 近赤外高感度であることに加え、ビニング動作を行うことにより受光面の高さ方向に長いイメージセンサとして使用できるため、ラ マン分光器の検出器に適しています。ビニング動作は、外部回路で信号をデジタル的に加算する方法と比べるとS/Nや信号処理速度 において非常に優れています。 S11500-1007、S11501-1007Sの画素サイズは24 × 24 μmで、受光面サイズは24.576 (H) × 2.928 (V) mmです (1024 × 122画素)。なお、 ピン配置・駆動条件は、当社製品S7030/S7031シリーズと同一です。 特長 用途 近赤外高感度: QE=40% (λ=1000 nm) ラマン分光測光など 画素サイズ: 24 × 24 μm ライン/ピクセルビニングが可能 MPP動作 分光感度特性 (窓なし時)*1 (Typ. Ta=25 °C) 100 S11500-1007 S11501-1007S 90 80 ၾঊ࢘ၚ (%) 70 60 ਲြ (S7030-1007) 50 40 30 20 ນ࿂වৣ߿CCD 10 0 200 400 600 800 1000 1200 ෨ಿ (nm) KMPDB0325JC *1: 石英ガラスの分光透過特性により感度は低下します。 浜松ホトニクス株式会社 1 S11500-1007, S11501-1007S CCDエリアイメージセンサ 構成 S11500-1007 S11501-1007S 24 × 24 μm 1044 × 128 1024 × 122 24.576 × 2.928 mm 2相 2相 1段MOSFETソースフォロア 24ピン セラミックDIP (外形寸法図を参照) 反射防止コーティングサファイア 石英ガラス*2 非冷却 1段電子冷却 項目 画素サイズ (H × V) 全画素数 (H × V) 有効画素数 (H × V) イメージサイズ (H × V) 垂直クロック 水平クロック 出力回路 パッケージ 窓材 冷却 *2: 樹脂封止 絶対最大定格 (Ta=25 °C) 項目 動作温度*3 保存温度 出力トランジスタドレイン電圧 リセットドレイン電圧 垂直入力ソース電圧 水平入力ソース電圧 垂直入力ゲート電圧 水平入力ゲート電圧 サミングゲート電圧 出力ゲート電圧 リセットゲート電圧 トランスファーゲート電圧 垂直シフトレジスタクロック電圧 水平シフトレジスタクロック電圧 電子冷却素子最大電流*4 電子冷却素子最大電圧 放熱側の最高温度 条件 Tc*5=Th*6=25 °C Tc*5=Th*6=25 °C 記号 Topr Tstg VOD VRD VISV VISH VIG1V, VIG2V VIG1H, VIG2H VSG VOG VRG V TG VP1V, VP2V VP1H, VP2H Imax Vmax - Min. -50 -50 -0.5 -0.5 -0.5 -0.5 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 -10 - Typ. - Max. +50 +70 +25 +18 +18 +18 +15 +15 +15 +15 +15 +15 +15 +15 3.0 3.6 70 単位 °C °C V V V V V V V V V V V V A V °C *3:パッケージ温度 *4: 電流値がImax以上になると、ジュール熱によって熱吸収率が低下し始めます。この最大電流Imaxは冷却器を損なわないためのしきい値 ではありませんので注意してください。電子冷却素子を保護し、安定した動作を維持するために、供給電流をこの最大電流の60%以下に 設定してください。 *5: 電子冷却素子の冷却側の温度 *6: 電子冷却素子の放熱側の温度 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 2 S11500-1007, S11501-1007S CCDエリアイメージセンサ 動作条件 (MPPモード, Ta=25 °C) 項目 出力トランジスタドレイン電圧 リセットドレイン電圧 出力ゲート電圧 基板電圧 垂直入力ソース 水平入力ソース テストポイント 垂直入力ゲート 水平入力ゲート 垂直シフトレジスタクロック電圧 水平シフトレジスタクロック電圧 サミングゲート電圧 リセットゲート電圧 トランスファーゲート電圧 外部負荷抵抗 High Low High Low High Low High Low High Low 記号 VOD VRD VOG VSS VISV VISH VIG1V, VIG2V VIG1H, VIG2H VP1VH, VP2VH VP1VL, VP2VL VP1HH, VP2HH VP1HL, VP2HL VSGH VSGL VRGH VRGL V TGH V TGL RL Min. 18 11.5 1 -9 -9 4 -9 4 -9 4 -9 4 -9 4 -9 20 Typ. 20 12 3 0 VRD VRD -8 -8 6 -8 6 -8 6 -8 6 -8 6 -8 22 Max. 22 12.5 5 8 -7 8 -7 8 -7 8 -7 8 -7 24 単位 記号 fc CP1V, CP2V CP1H, CP2H CSG CRG CTG CTE Vout Zo P Min. - Typ. 0.25 3000 180 30 30 75 0.99999 16 3 13 Max. 1 18 4 14 単位 MHz pF pF pF pF pF V kΩ mW V V V V V V V V V V V V V kΩ 電気的特性 (Ta=25 °C) 項目 信号出力周波数 垂直シフトレジスタ容量 水平シフトレジスタ容量 サミングゲート容量 リセットゲート容量 トランスファーゲート容量 電荷転送効率*7 DC出力レベル 出力インピーダンス 消費電力*8 0.99995 14 - *7: 飽和電荷量の半分のときに測定した、1画素当たりの転送効率 *8: オンチップアンプと負荷抵抗を合わせた消費電力 3 S11500-1007, S11501-1007S CCDエリアイメージセンサ 電気的および光学的特性 (指定のない場合はTa=25 °C) 項目 記号 Vsat 飽和出力電圧 垂直 水平*9 飽和電荷量 Fw CCD変換効率 Sv 暗電流 (MPPモード)*10 25 °C 0 °C DS 読み出しノイズ*11 Nr ダイナミックレンジ*12 ラインビニング エリアスキャン DR 感度不均一性*13 PRNU λ 感度波長範囲 ポイント欠陥*14 キズ 白キズ 黒キズ クラスタ欠陥*15 コラム欠陥*16 - Min. 240 800 1.8 100000 30000 - Typ. Fw × Sv 320 1000 2.2 100 10 8 125000 40000 ±3 200 ~ 1100 - Max. 400 40 16 ±10 0 10 3 0 単位 V keμV/ee-/pixel/s e- rms % nm - *9: 直線性=±1.5% *10: 暗電流は、温度が 5~7 °C上昇すると約2倍になります。 *11: 当社製デジタル CCDカメラ C4880を使用 (CDS回路付, 素子温度=-40 °C, 動作周波数=150 kHz) *12: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量/読み出しノイズ *13: LED光 (ピーク発光波長: 560 nm)を用いて飽和出力の半分のときに測定 感度不均一性 = 固定パターンノイズ (peak to peak) 信号 × 100 [%] *14: 白キズ 冷却温度 0 °Cで1秒間蓄積したときに、暗電流が1 ke-を超える画素 黒キズ 平均出力画素に比べて感度が半分以下の画素 (測定条件: 飽和電荷量の1/2の出力になる均一光) *15: 2~9個の連続した画像欠陥 *16: 10個以上の連続した画像欠陥 4 S11500-1007, S11501-1007S CCDエリアイメージセンサ 暗電流ー温度 窓材の分光透過特性 (Typ.) 1000 (Typ. Ta=25 °C) 100 90 80 100 ൫ًၚ (%) 10 1 ৣཡগȜΞͻϋΈέͼͺ 60 50 40 30 20 0.1 10 0.01 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 30 أഽ (°C) ෨ಿ (nm) KMPDB0256JA KMPDB0110JA デバイス構造 (外形寸法図において上面からみた概念図) ခْ࢘ள Thinning ခْ࢘ள 23 15 20 21 13 14 2-bevel 22 24 H 1 n 2 ႁ 5 4 3 2 12345 4-bevel V Thinning ճഩၠ (e-/pixels/s) ΄םρΑௗ 70 12 କΏέΠ τΐΑΗ 2 3 4 5 8 V=122 H=1024 10 9 n 4ήρϋ·ْள 11 4ήρϋ·ْள 2 ႁ କΏέΠτΐΑΗ 6-bevel 6-bevel ಕ) වৣ༷̥࢜ͣࡉ̹ાࣣȂକΏέΠτΐΑΗ͉Si͈࢚̞໐ (ະۜ໐)́ ໞ̞̳̦ͩͦ̀͘Ȃಿ෨ಿ͈͉ະۜ໐͈Siͬ൫ً̱ȂକΏέΠτΐΑΉ ̯ͦͥخෝ̦̜̳ͤ͘ȃຈါͅ؊̲̀৭͈̈́̓చॐ࣐̩̺̯̞ͬ̽̀ȃ KMPDC0364JB 5 S11500-1007, S11501-1007S CCDエリアイメージセンサ タイミングチャート (ラインビニング) ಇୟশۼ (ΏλΛΗ)ٳ ೄΫΣϋΈۼܢ (ΏλΛΗ) උ͙̱( ۼܢΏλΛΗ) Tpwv 1 2 3..126 P1V 127 128← 122 + 6 (bevel) Tovr P2V, TG Tpwh, Tpws 4..1042 1043 P1H 1 2 1044 3 P2H, SG Tpwr RG OS D1 D2..D10, S1..S1024, D11..D19 D20 KMPDC0353JA 項目 17 P1V, P2V, TG* P1H, P2H*17 SG RG TG-P1H パルス幅 上昇/下降時間 パルス幅 上昇/下降時間 デューティ比 パルス幅 上昇/下降時間 デューティ比 パルス幅 上昇/下降時間 オーバーラップ時間 記号 Tpwv Tprv, Tpfv Tpwh Tprh, Tpfh Tpws Tprs, Tpfs Tpwr Tprr, Tpfr Tovr Min. 6 10 500 10 40 500 10 40 100 5 3 Typ. 8 2000 50 2000 50 - Max. 60 60 - 単位 μs ns ns ns % ns ns % ns ns μs *17: 最大パルス振幅の50%のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。 6 S11500-1007, S11501-1007S CCDエリアイメージセンサ 外形寸法図 (単位: mm) S11500-1007 වৣௗ 28.6* ໐ 24.58 22.4 ± 0.30 8.2* 1 22.9 ± 0.30 13 2.928 24 12 2.54 ± 0.13 44.0 ± 0.44 άϋNo.1 ͼϋΟΛ·ΑζȜ· 4.4 ± 0.44 4.8 ± 0.49 3.75 ± 0.44 2.35 ± 0.15 3.0 ࿂ (24 ×) 0.5 ± 0.05 *ȶௗऺ͈൫ًඅȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥςͺ KMPDA0264JA S11501-1007S වৣௗ 28.6* ໐ 24.58 22.9 ± 0.30 19.0 4.0 1 22.4 ± 0.30 13 2.928 12 2.54 ± 0.13 44.0 ± 0.44 52.0 60.0 ± 0.30 άϋNo. 1 ͼϋΟΛ·ΑζȜ· ࿂ 7.7 ± 0.68 6.92 ± 0.63 6.32 ± 0.63 1.0 4.89 ± 0.15 ഩঊ႖ݕளঊ 3.0 8.2* 24 (24 ×) 0.5 ± 0.05 *ȶௗऺ͈ۜഽඅȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥςͺ KMPDA0328JA 7 CCDエリアイメージセンサ S11500-1007, S11501-1007S ピン接続 ピン No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 記号 RD OS OD OG SG P2H P1H IG2H IG1H ISH TG*18 P2V P1V SS ISV IG2V IG1V RG S11500-1007 機能 リセットドレイン 出力トランジスタソース 出力トランジスタドレイン 出力ゲート サミングゲート CCD水平レジスタ クロック-2 CCD水平レジスタ クロック-1 テストポイント (水平入力ゲート-2) テストポイント (水平入力ゲート-1) テストポイント (水平入力ソース) トランスファーゲート CCD垂直レジスタ クロック-2 CCD垂直レジスタ クロック-1 基板 (GND) テストポイント (垂直入力ソース) テストポイント (垂直入力ゲート-2) テストポイント (垂直入力ゲート-1) リセットゲート 記号 RD OS OD OG SG P2H P1H IG2H IG1H ISH TG*18 P2V P1V Th1 Th2 PP+ SS ISV IG2V IG1V RG S11501-1007S 機能 リセットドレイン 出力トランジスタソース 出力トランジスタドレイン 出力ゲート サミングゲート CCD水平レジスタ クロック-2 CCD水平レジスタ クロック-1 テストポイント (水平入力ゲート-2) テストポイント (水平入力ゲート-1) テストポイント (水平入力ソース) トランスファーゲート CCD垂直レジスタ クロック-2 CCD垂直レジスタ クロック-1 サーミスタ サーミスタ 電子冷却素子 (-) 電子冷却素子 (+) 基板 (GND) テストポイント (垂直入力ソース) テストポイント (垂直入力ゲート-2) テストポイント (垂直入力ゲート-1) リセットゲート 備考 (標準動作) +12 V RL=22 kΩ +20 V +3 V P2Hと同タイミング -8 V -8 V RDに接続 P2Vと同タイミング GND RDに接続 -8 V -8 V *18: 垂直レジスタと水平レジスタ間の分離ゲート。標準動作ではTGにP2Vと同じパルスを入力してください。 8 S11500-1007, S11501-1007S CCDエリアイメージセンサ 内蔵電子冷却素子の仕様 (S11501-1007S, Typ.) 項目 内部抵抗 最大熱吸収*19 記号 Rint Qmax 条件 Ta=25 °C 仕様 1.2 5.1 単位 Ω W *19: 最大電流をセンサに供給したときに、 電子冷却素子に生じる温度差を補正する理論的な熱吸収レベルです。 (Typ. Ta=25 °C) 7 ഩգȽഩၠ CCD أഽȽഩၠ 20 5 10 4 0 3 -10 2 -20 1 -30 0 0 2 1 3 4 CCDأഽ (°C) ഩգ (V) 6 30 -40 ഩၠ (A) KMPDB0179JA 内蔵温度センサの仕様 (S11501-1007S) (Typ.) 1 MΩ CCDチップと同じパッケージにサーミスタチップが内蔵されて おり、動作中のCCDチップ温度をモニタします。 このサーミスタの抵抗値と絶対温度の関係は次式で表されます。 RT1: 絶対温度T1 [K]のときの抵抗値 RT2: 絶対温度T2 [K]のときの抵抗値 BT1/ T2: B定数 [K] ࢯ RT1 = RT2 × exp BT1/ T2 (1/T1 – 1/T2) 100 kΩ 使用しているサーミスタの特性は以下のとおりです。 R298=10 kΩ B298/323=3450 K 10 kΩ 220 230 240 250 260 270 280 290 300 أഽ (K) KMPDB0111JB 9 CCDエリアイメージセンサ S11500-1007, S11501-1007S 使用上の注意 (静電対策) ・ CCDを取り扱う作業者は、必ずリストバンドを装着し、静電気防止対策のされた作業服・手袋・靴などを着用してください。リス トバンドは、必ず人体側に保護抵抗 (1 MΩ程度)入りのものを使用し、接地してください。保護抵抗がない場合は、漏電によって感 電する恐れがあり、非常に危険です。 ・ 静電気を帯びる可能性のある作業台の上にセンサを直接置かないでください。 ・ 作業台や床には、静電気を放電させるためのアース線を接続してください。 ・ センサを取り扱うピンセットやはんだごてなどの道具にもアースをとるようにしてください。 上記の静電対策は必ずしもすべて行う必要はありません。発生する障害の程度に応じて対策を施してください。 素子の冷却・昇温時の温度勾配速度 外付け冷却器でCCDを冷却する場合は、素子の冷却・昇温時の温度勾配速度を5 K/分以下になるように設定してください。 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・製品に関する注意事項とお願い ・イメージセンサ/使用上の注意 技術情報 ・FFT-CCDエリアイメージセンサ/技術資料 ・イメージセンサ/用語の解説 マルチチャンネル検出ヘッド C7040, C7041 特長 C7040: S7030シリーズ、S11500-1007用 C7041: S7031シリーズ、S11501-1007S用 エリアスキャンまたはラインビニング動作 読み出し周波数: 250 kHz 読み出しノイズ: 20 e- rms ΔT=50 °C (ΔTは冷却方法により異なります。) 入力 マスタースタート 記号 VD1 VA1+ VA1VA2 VD2 Vp VF φms マスタークロック φmc 印加電圧 仕様 +5 Vdc, 200 mA +15 Vdc, +100 mA -15 Vdc, -100 mA +24 Vdc, 30 mA +5 Vdc, 30 mA (C7041) +5 Vdc, 2.5 A (C7041) +12 Vdc, 100 mA (C7041) HCMOSロジックコンパチブル HCMOSロジックコンパチブル, 1 MHz 10 S11500-1007, S11501-1007S CCDエリアイメージセンサ マルチチャンネル検出器ヘッド用コントローラ C7557-01 特長 マルチチャンネル検出器ヘッドの制御とデータ収集を 行うためのコントローラ 付属のソフトウェアを使用することにより、USBインター フェースを通して簡易に制御およびデータ収集が可能 接続図 ΏλΛΗ* ΗͼηϋΈΩσΑ ACΉȜήσ (100ȡ240 V, C7557-01ͅັ௺) Trig. őŐŘņœ ဥΉȜήσ (C7557-01ͅັ௺) ŔŊňŏłōġŊİŐ USB ΉȜήσ (C7557-01ͅັ௺) ŕņġńŐŏŕœŐōġŊİŐ ͼιȜΐΓϋ + ζσΙΙλϋΥσ ܕΰΛΡ C7557-01 PC [Windows 7 (32-bit)] (USB 2.0) *ġΏλΛΗ͉̈́̓ဥփ̵̱̞̀ͭ͘ȃ KACCC0402JC 本資料の記載内容は、平成27年12月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııIJIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊષIJĮķĮIJIJġĩུྵ୵ర࢙൚రΫσijٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪĶĮIJijĮIJıġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No.KMPD1125J05 Dec. 2015 DN 11