Japanese/English

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
PrimePACK™3モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロールdiode内蔵
PrimePACK™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode
VCES = 1200V
IC nom = 1400A / ICRM = 2800A
一般応用
• ハイパワーコンバータ
• モーター駆動
• 風力タービン
TypicalApplications
• Highpowerconverters
• Motordrives
• Windturbines
電気的特性
• 高い短絡電流耐量
• 高いサージ電流耐量
• 高い電流密度
• Tvjop=150°C
• 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• Highshort-circuitcapability
• Highsurgecurrentcapability
• Highcurrentdensity
• Tvjop=150°C
• VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
機械的特性
MechanicalFeatures
• 4kVAC1分 絶縁耐圧
• 4kVAC1mininsulation
• CTI(比較トラッキング指数)>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400
• 長い縁面/空間距離
• Highcreepageandclearancedistances
• 内蔵されたNTCサーミスタ
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• RoHS対応
• RoHScompliant
• すでに塗布されたサーマルグリース
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 60°C, Tvj max = 175°C
IC nom 1400
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
2800
A
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 1400 A, VGE = 15 V
IC = 1400 A, VGE = 15 V
IC = 1400 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,75
2,05
2,15
2,05
2,40
2,50
V
V
V
5,80
6,50
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 49,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
9,60
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,8
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
82,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
4,60
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1400 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 1400 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1400 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 1400 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 1400 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 8600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,00
0,20
0,21
0,21
µs
µs
µs
0,12
0,13
0,13
µs
µs
µs
0,87
0,95
0,97
µs
µs
µs
0,20
0,23
0,23
µs
µs
µs
Eon
65,0
80,0
95,0
mJ
mJ
mJ
IC = 1400 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
215
280
305
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
5600
A
???
Thermalresistance,junctiontoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJH
Tvj op
preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
2
30,5 K/kW
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
最大損失
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
1400
A
IFRM
2800
A
I²t
165
160
PRQM 1400
kW
電気的特性/CharacteristicValues
min.
kA²s
kA²s
typ.
max.
VF
1,90
1,85
1,80
2,30
2,25
2,20
IF = 1400 A, - diF/dt = 8600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
780
1000
1050
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 1400 A, - diF/dt = 8600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
135
235
270
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 1400 A, - diF/dt = 8600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
70,0
110
130
mJ
mJ
mJ
???
Thermalresistance,junctiontoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
RthJH
順電圧
Forwardvoltage
IF = 1400 A, VGE = 0 V
IF = 1400 A, VGE = 0 V
IF = 1400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
V
V
V
54,1 K/kW
-40
150
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TNTC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
3
kΩ
5
%
20,0
mW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 4,0
kV
Cu
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
33,0
33,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
19,0
19,0
mm
> 400
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
min.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
10
nH
RCC'+EE'
0,20
mΩ
-40
TBPmax
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
質量
Weight
G
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM: siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM: see AN2012-07
preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
4
max.
LsCE
Tstg
最大ベース・プレート動作温度
Maximumbaseplateoperationtemperature
typ.
3,00
125
°C
125
°C
6,00
Nm
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
1200
g
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
2800
2800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2600
2400
2400
2000
2000
1800
1800
1600
1600
IC [A]
2200
IC [A]
2200
1400
1400
1200
1200
1000
1000
800
800
600
600
400
400
200
200
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
2600
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VCE=600V
2800
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2600
2400
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
700
2200
600
2000
1800
500
IC [A]
E [mJ]
1600
1400
400
1200
300
1000
800
200
600
400
100
200
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
5
0
400
800
1200 1600
IC [A]
2000
2400
2800
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=1400A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
1000
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
900
ZthJH : IGBT
800
700
10
ZthJH [K/kW]
E [mJ]
600
500
400
1
300
200
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,91
12,7
9,88 5,98
τi[s]:
0,00578 0,0467 0,181 0,902
100
0
0
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
0,1
0,001
10
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1Ω,Tvj=150°C
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
3000
2800
IC, Modul
IC, Chip
2800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2520
2600
2400
2240
2200
1960
2000
1800
1680
IF [A]
IC [A]
1600
1400
1400
1200
1120
1000
840
800
600
560
400
280
200
0
0,01
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
6
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1Ω,VCE=600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1400A,VCE=600V
200
180
170
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
180
150
160
140
130
140
120
110
E [mJ]
120
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
160
100
80
100
90
80
70
60
60
50
40
40
30
20
20
10
0
0
400
800
1200 1600
IF [A]
2000
2400
0
2800
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
10
安全動作領域Diode、インバータ(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=150°C
100
3000
ZthJH : Diode
IR, Modul
2800
2600
2400
2200
10
2000
ZthJH [K/kW]
1800
IR [A]
1600
1400
1200
1
1000
800
600
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,96
16,7
24
9,45
τi[s]:
0,00131 0,0259 0,105 0,736
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
400
200
0
10
preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
7
0
200
400
600
800
VR [V]
1000
1200
1400
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TNTC [°C]
120
140
160
preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
回路図/Circuitdiagram
パッケージ概要/Packageoutlines
1
232
60
6,5
restricted area for Thermal Interface Material
36 0,2
screwing depth
max. 16 (6x)
18 0,2 (4x)
22 +- 0,6
0
3 0,1
36,5 0,3
screwing depth
max. 8 (7x)
A
250 0,5
224
187
150
113
103
92
recommeded design height
lower side PCB to baseplate
76
58
8 0,1 (7x)
25,9 0,25
+
5,5 - 00,1
0,25 A B C
(10x)
0,4 A
(7x)
37,7 0,25
recommeded design height B
lower side bus bar to baseplate
10
25
28 0,1
5,5
39
M8
0,6 A B C
(6x)
17 0,1
5,5
24,5 0,5
39
14
20 0,1
12,3 0,3
4,3
89 0,5
73
21 0,3
M4
0,6 A B C
(7x)
10
21,5 0,3
1 MAX
C
64
78
117
156
195
234
preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FF1400R12IP4P
Publishedby
InfineonTechnologiesAG
81726München,Germany
©InfineonTechnologiesAG2015.
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この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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された一切の事例、手引き、もしくは一般的価値、および/または本製品の用途に関する一切の情報に関し、インフィニオンテクノロジ
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び責任を否定いたします。
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本文書に含まれるデータは、技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています。本製品の対象用途への適合性、およびこれら用途
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本製品、技術、納品条件、および価格についての詳しい情報は、インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください
(www.infineon.com)。
警告事項
技術的要件に伴い、製品には危険物質が含まれる可能性があります。当該種別の詳細については、インフィニオンの最寄りの営業所ま
でお問い合わせください。
インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ、インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き、インフィニオンの製品は、
当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が、合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできない
こと予めご了承ください
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theusethereofcan
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preparedby:SM
dateofpublication:2016-03-30
approvedby:RN
revision:V3.1
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