テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 J VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A 一般応用 • 3レベル アプリケーション • ソーラーアプリケーション TypicalApplications • 3-level-applications • Solarapplications 電気的特性 • 高速IGBTH3 • 低インダクタンスデザイン • 低スイッチング損失 • 低VCEsat飽和電圧 ElectricalFeatures • HighspeedIGBTH3 • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses • LowVCEsat 機械的特性 • 3kVAC1分 絶縁耐圧 • 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB • コンパクトデザイン • PressFIT接合技術 • 固定用クランプによる強固なマウンティング MechanicalFeatures • 3kVAC1mininsulation • Al2O3substratewithlowthermalresistance • Compactdesign • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C コレクタ電流 Implementedcollectorcurrent VCES 1200 V ICN 75 A 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 30 45 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 150 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 275 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,45 1,55 1,60 1,70 V V V 5,80 6,50 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 2,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,57 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,40 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,235 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 6,8 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 5,00 0,03 0,03 0,03 µs µs µs 0,01 0,012 0,012 µs µs µs 0,25 0,32 0,34 µs µs µs 0,025 0,04 0,045 µs µs µs Eon 0,40 0,60 0,70 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 6,8 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,05 1,60 1,75 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 270 A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 0,500 0,550 K/W テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions 0,450 Tvj op -40 K/W 150 °C ダイオード,D1/D4/Diode,D1/D4 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 30 A IFRM 50 A I²t 90,0 75,0 電気的特性/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,40 VF 1,85 1,90 1,90 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 72,0 80,0 82,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,35 2,85 3,70 µC µC µC IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,80 1,30 1,35 mJ mJ mJ 順電圧 Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy V V V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,950 1,05 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,850 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 3 -40 K/W 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 30 45 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 60 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 150 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,55 1,70 1,80 2,00 V V V 5,80 6,50 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 10 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 4,90 0,022 0,025 0,025 µs µs µs 0,01 0,012 0,012 µs µs µs 0,16 0,18 0,185 µs µs µs 0,025 0,037 0,04 µs µs µs Eon 0,34 0,50 0,53 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 4700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 10 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,85 1,15 1,20 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 210 150 A A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 0,900 1,00 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,850 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 4 -40 K/W 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 ダイオード,D2/D3/Diode,D2/D3 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 650 V IF 30 A IFRM 60 A I²t 130 115 電気的特性/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,65 VF 1,45 1,35 1,30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 42,0 48,0 50,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,80 2,40 2,60 µC µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,45 0,65 0,73 mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 1,00 1,20 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,700 K/W 順電圧 Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 V V V °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance TNTC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TNTC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 5 kΩ 5 % 20,0 mW テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AI2O3 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex VISOL CTI min. 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature nH RCC'+EE' RAA'+CC' 5,00 6,00 mΩ Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 質量 Weight G dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 6 max. 30 -40 preparedby:CM typ. LsCE Tstg Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. kV 3,0 24 125 °C 80 N g テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 出力特性IGBT,T1-T4(Typical) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT,T1-T4(Typical) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 60 50 50 40 40 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0 2,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,0 0,5 1,0 VCE [V] 伝達特性IGBT,T1-T4(Typical) transfercharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 2,5 3,0 50 60 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 2,5 40 2,0 E [mJ] IC [A] 2,0 スイッチング損失IGBT,T1-T4(Typical) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=400V 60 30 1,0 10 0,5 5 6 7 8 9 0,0 10 VGE [V] preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 7 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,5 20 0 1,5 VCE [V] 0 10 20 30 IC [A] 40 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 スイッチング損失IGBT,T1-T4(Typical) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V 過渡熱インピーダンスIGBT,T1-T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1-T4 ZthJH=f(t) 4,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C ZthJH : IGBT ZthJH [K/W] E [mJ] 3,0 2,0 1 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,032 0,062 0,312 0,543 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 0,1 0,001 70 逆バイアス安全動作領域IGBT,T1-T4（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1-T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性ダイオード,D1/D4（typical) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 70 50 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 60 40 50 35 30 IF [A] IC [A] 40 30 25 20 15 20 10 10 5 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 8 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=10Ω,VCE=400V スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V 2,0 1,6 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,8 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,4 1,6 1,2 1,4 1,0 E [mJ] E [mJ] 1,2 1,0 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 5 0,0 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 IF [A] 過渡熱インピーダンスダイオード,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 出力特性IGBT,T2/T3(Typical) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 60 ZthJH: Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 54 48 42 IC [A] ZthJH [K/W] 36 1 30 24 18 12 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,15 0,323 0,739 0,588 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 6 0 10 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 9 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 出力特性IGBT,T2/T3(Typical) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 伝達特性IGBT,T2/T3(Typical) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 60 60 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 54 48 42 42 36 36 IC [A] IC [A] 48 30 30 24 24 18 18 12 12 6 6 0 0,0 0,5 1,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 54 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=10Ω,RGoff=10Ω,VCE=400V 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V 2,5 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,5 2,0 3,0 2,5 E [mJ] E [mJ] 1,5 1,0 2,0 1,5 1,0 0,5 0,5 0,0 0 10 20 30 IC [A] 40 50 0,0 60 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 10 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 過渡熱インピーダンスIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) 逆バイアス安全動作領域IGBT,T2/T3（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=10Ω,Tvj=150°C 10 70 ZthJH: IGBT IC, Modul IC, Chip 60 40 IC [A] ZthJH [K/W] 50 1 30 20 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 順電圧特性ダイオード,D2/D3（typical) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=6.8Ω,VCE=400V 60 1,00 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 55 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,90 50 0,80 45 0,70 40 0,60 E [mJ] IF [A] 35 30 25 0,50 0,40 20 0,30 15 0,20 10 0,10 5 0 0,0 0,5 1,0 VF [V] 1,5 0,00 2,0 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 11 0 10 20 30 IF [A] 40 50 60 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V 過渡熱インピーダンスダイオード,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) 0,90 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,80 ZthJH: Diode 0,70 ZthJH [K/W] E [mJ] 0,60 0,50 0,40 1 0,30 0,20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,25 0,3 0,5 0,65 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,10 0,00 0 10 20 30 RG [Ω] 40 50 0,1 0,001 60 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 12 0,01 0,1 t [s] 1 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 回路図/Circuitdiagram J パッケージ概要/Packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2016-04-04 approvedby:AKDA revision:V3.2 13 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©InfineonTechnologiesAG2015. AllRightsReserved. この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 重要事項 本文書に記載された情報は、いかなる場合も、条件または特性の保証とみなされるものではありません（「品質の保証」）。本文に記 された一切の事例、手引き、もしくは一般的価値、および／または本製品の用途に関する一切の情報に関し、インフィニオンテクノロジ ーズ（以下、「インフィニオン」）はここに、第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず、あらゆる種類の一切の保証およ び責任を否定いたします。 さらに、本文書に記載された一切の情報は、お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し、本文 書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件、規範、および基準をお客様が遵守することを条件としています。 本文書に含まれるデータは、技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています。本製品の対象用途への適合性、およびこれら用途 に関連して本文書に記載された製品情報の完全性についての評価は、お客様の技術部門の責任にて実施してください。 本製品、技術、納品条件、および価格についての詳しい情報は、インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください （www.infineon.com）。 警告事項 技術的要件に伴い、製品には危険物質が含まれる可能性があります。当該種別の詳細については、インフィニオンの最寄りの営業所ま でお問い合わせください。 インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ、インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き、インフィニオンの製品は、 当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が、合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできない こと予めご了承ください Terms&Conditionsofusage IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. 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