Japanese/English

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
J
VCES = 1200V
IC nom = 30A / ICRM = 60A
一般応用
• ソーラーアプリケーション
TypicalApplications
• Solarapplications
電気的特性
• 低スイッチング損失
• thinQHSiCショットキーdiode1200V
ElectricalFeatures
• Lowswitchinglosses
• thinQHSiCSchottkydiode1200V
機械的特性
• 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB
• 内蔵されたNTCサーミスタ
• コンパクトデザイン
• PressFIT接合技術
MechanicalFeatures
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
逆極性保護diodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 1200
V
最大実効順電流/chip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 80°C
IFRMSM 50
A
整流出力の最大実効電流
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM 60
A
サージ順電流
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
360
290
A
A
電流二乗時間積
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
650
420
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
順電圧
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 30 A
VF
0,95
V
傾き抵抗
Sloperesistance
Tvj = 150°C
rT
0,10
mΩ
逆電流
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
IR
0,10
mA
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
0,800 0,900 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,800
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
2
-40
K/W
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
IGBT、チョッパー/IGBT-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
コレクタ電流
Implementedcollectorcurrent
VCES
1200
V
ICN
100
A
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
50
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
200
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
375
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,30
1,35
1,35
1,45
V
V
V
5,80
6,45
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 3,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,80
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
6,15
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,345
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 4,7 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,05
0,018
0,017
0,017
µs
µs
µs
0,01
0,01
0,01
µs
µs
µs
0,30
0,40
0,44
µs
µs
µs
0,014
0,03
0,035
µs
µs
µs
Eon
0,73
0,78
0,80
mJ
mJ
mJ
IC = 30 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 4,7 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,30
2,00
2,40
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
360
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
3
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
0,350 0,400 K/W
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
0,350
Tvj op
-40
K/W
150
°C
Diode-、チョッパー/Diode-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 25°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
1200
V
IF
30
A
IFRM
30
A
I²t
150
110
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
2,20
1,95
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
10,0
10,0
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,30
0,50
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,06
0,06
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
0,500 0,600 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,450
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
V
V
K/W
150
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TNTC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
4
kΩ
5
%
20,0
mW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
min.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
5
max.
30
nH
RCC'+EE'
5,00
mΩ
G
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
typ.
LsCE
Tstg
質量
Weight
kV
2,5
-40
125
24
°C
g
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
順方向特性逆極性保護diodeA(典型)
forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA
(typical)
IF=f(VF)
出力特性IGBT、チョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
60
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
50
40
40
IC [A]
IF [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
30
20
20
10
10
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
0
1,4
出力特性IGBT、チョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VCE [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
60
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
40
IC [A]
40
30
30
20
20
10
10
0
0,0
伝達特性IGBT、チョッパー(Typical)
transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
60
IC [A]
30
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
5
6
7
8
VGE [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
6
9
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
スイッチング損失IGBT、チョッパー(Typical)
switchinglossesIGBT-Chopper(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=600V
スイッチング損失IGBT、チョッパー(Typical)
switchinglossesIGBT-Chopper(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=600V
4,5
6,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
4,0
5,0
3,5
4,5
3,0
4,0
3,5
2,5
E [mJ]
E [mJ]
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
5,5
2,0
3,0
2,5
1,5
2,0
1,5
1,0
1,0
0,5
0,0
0,5
0
10
20
30
IC [V]
40
50
0,0
60
過渡熱インピーダンスIGBT、チョッパー
transientthermalimpedanceIGBT-Chopper
ZthJH=f(t)
0
5
10
15
20
25
RG [Ω]
30
35
40
45
逆バイアス安全動作領域IGBT、チョッパー(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=150°C
10
70
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
60
50
1
IC [A]
ZthJH [K/W]
40
30
0,1
20
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,02368 0,04588 0,23088 0,40182
τi[s]:
0,0005 0,005
0,05
0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
0
10
0
200
400
600
800
t [s]
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
7
1000
1200
1400
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
順電圧特性Diode-、チョッパー(typical)
forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical)
IF=f(VF)
スイッチング損失Diode-、チョッパー(Typical)
switchinglossesDiode-Chopper(typical)
Erec=f(IF)
RGon=4.7Ω,VCE=600V
60
0,100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
50
0,075
E [mJ]
IF [A]
40
30
0,050
20
0,025
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0,000
2,5
0
10
20
VF [V]
スイッチング損失Diode-、チョッパー(Typical)
switchinglossesDiode-Chopper(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=600V
30
IF [A]
40
50
60
過渡熱インピーダンスDiode-、チョッパー
transientthermalimpedanceDiode-Chopper
ZthJH=f(t)
0,100
10
Erec, Tvj = 125°C
ZthJH : Diode
0,075
ZthJH [K/W]
E [mJ]
1
0,050
0,1
0,025
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,118 0,204 0,37 0,258
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,000
0
5
10
15
20
25
RG [Ω]
30
35
40
0,01
0,001
45
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
8
0,01
0,1
t [s]
1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
9
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
回路図/Circuitdiagram
J
パッケージ概要/Packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
DF200R12W1H3F_B11
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81726München,Germany
©InfineonTechnologiesAG2015.
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preparedby:CM
dateofpublication:2016-02-23
approvedby:AKDA
revision:V3.0
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